[发明专利]二硫化钼氮化钛复合薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种二硫化钼氮化钛复合薄膜，其特征在于：该复合薄膜由下至上分别包括钛的扩散过渡层、氮化钛支持层以及二硫化钼氮化钛复合层，钛的扩散过渡层的厚度为250～1300nm，氮化钛支持层的厚度为500～800nm，二硫化钼氮化钛复合层的厚度为1000～1800nm。

2.一种如权利要求1所述的二硫化钼氮化钛复合薄膜的制备方法，其特征在于：该制备方法包括的步骤如下：

(1)、开启设备：将制备薄膜的载体放入真空室内的转盘上，使真空室压力为10^e-2帕，开始升温，并保持温度在70-200℃；继续抽真空至小于6×10^e-3帕为止；启动转盘，转盘转速1-3转/分钟；

(2)、清洗刻蚀：通入200-400标况毫升每分的氩气，使真空室内压力达到1.0-2.5帕；打开负偏压电源，对制备薄膜的载体施加负偏压-800伏，占空比10-30％；时间10-20分钟；

(3)、抽气：关闭负偏压电源和氩气，抽真空至小于6×10^e-3帕；

(4)、钛的扩散过渡层沉积：通入150-200标况毫升每分的氩气，保持真空度0.5-1.0帕，开启负偏压电源，-400--600伏，占空比40-60％，然后开启钛靶磁控电源，电流10-15安，时间10-20分钟后，降低负偏压至-150--300V，继续沉积，时间10-20分钟，形成钛的扩散过渡层；

(5)、氮化钛支持层沉积：逐步通入100-200标况毫升每分的氮气，关闭氩气，真空度保持不变，继续沉积，沉积时间30-60分钟，形成氮化钛支持层；

(6)、二硫化钼氮化钛复合层沉积：通入100-150标况毫升每分氩气，真空度0.5-1.2帕，开启二硫化钼磁控电源，磁控电流3-8安，沉积60-120分钟，形成二硫化钼氮化钛复合层；

(7)、保养：关闭所有气体，负偏压电源、钛靶磁控电源以及二硫化钼磁控电源，保持抽真空，控制真空度在10^-3帕，10-30分钟，得到二硫化钼氮化钛复合薄膜。

3.根据权利要求2所述的二硫化钼氮化钛复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述的制备薄膜的载体为钢板。

4.根据权利要求2所述的二硫化钼氮化钛复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述的制备薄膜的载体为冲头、丝锥、压缩机中的活塞、活塞销、曲轴。