[发明专利]叠层有机电致发光器件及其制备方法无效
申请号: | 201210132210.7 | 申请日: | 2012-04-28 |
公开(公告)号: | CN103378307A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 周明杰;王平;黄辉;陈吉星 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;C09K11/06 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
地址: | 518100 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及电致发光器件领域,尤其涉及一种叠层有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
1987年,美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度,高效率的双层有机电致发光器件(OLED)。在该双层结构的器件中,10V下亮度达到1000cd/m2,其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。
OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下,电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO),而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子,激子在电场作用下迁移,将能量传递给发光材料,并激发电子从基态跃迁到激发态,激发态能量通过辐射失活,产生光子,释放光能。
目前,为了提高发光亮度和发光效率,越来越多的研究是以叠层器件为主,这种结构通常是用电荷产生层作为连接层把数个发光单元串联起来,与单元器件相比,叠层结构器件往往具有成倍的电流效率和发光亮度,叠层OLED的初始亮度比较大,在相同的电流密度下测量时,换算成单元器件的初始亮度,堆积器件会有较长的寿命,而这种叠层器件也可以很容易的将不同颜色的发光单元串联混合成白光,从而实现白光的发射。
叠层器件的电荷产生层必须具有电子再生能力和空穴再生能力,且具有比较好的注入能力,才能有效的将电子和空穴注入到各个发光单元,从而实现器件的发光。目前研究的比较多的是利用两种或两种以上具有空穴注入或电子注入的材料作为电荷生成层(如Cs:BCP/V2O5),或者是n型和p型掺杂层作为电荷产生层(如n型(Alq3:Li)和p型(NPB:FeCl3))、或者是A1-WO3-Au等顺序连接多个发光单元而构成,但是这种电荷产生层至少需要进行两次以上的工序,给制备带来一定的复杂性,同时,一般的n型掺杂物的主体材料都是电子传输速率较差的材料(如BCP)。
发明内容
基于上述问题,本发明所要解决的问题在于提供一种电子传输速率快的叠层有机电致发光器件。
本发明的技术方案如下:
一种叠层有机电致发光器件,包括依次层叠的导电阳极基底、第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、第一电子注入层、电荷再生层、第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、第二电子注入层以及阴极层;所述电荷再生层的材质为强电子给体材料和强电子受体材料混合而成,且所述强电子给体材料和强电子受体材料的质量百分比为1∶4~1∶1;所述电荷再生层的厚度为10~40nm;其中,所述强电子给体材料为3-己基噻吩、3-甲基噻吩或3-辛基噻吩;所述强电子受体材料为PC61BM或PC71BM。
所述叠层有机电致发光器件中,各功能层的材质和厚度如下:
所述导电阳极基底为铟锡氧化物玻璃、掺铝的氧化锌玻璃或掺铟的氧化锌玻璃;
所述第一空穴注入层和第二空穴注入层的材质为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒;所述第一空穴注入层和第二空穴注入层的厚度均为20~80nm;
所述第一空穴传输层与第二空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺;所述第一空穴传输层与第二空穴传输层的厚度均为20~60nm;
所述第一发光层与第二发光层的材质为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、4-(二腈亚甲叉)-2-甲基-6-(4-二甲胺基-苯乙烯)-4H-吡喃、[4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯]、双[9-乙基-3,3’-(1,4-苯基二-2,1-乙烯基)-H-咔唑或八羟基喹啉铝;所述第一发光层与第二发光层的厚度均为2~50nm;
所述的第一电子传输层和第二电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑;所述的第一电子传输层和第二电子传输层的厚度均为40~80nm;
所述第一电子注入层和第二电子注入层的材料为碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或者氟化锂;所述第一电子注入层和第二电子注入层的厚度均为0.5-10nm;
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