[发明专利]半导体多级台阶结构的制作方法

权利要求书

1.一种半导体多级台阶结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成阻挡层；

图案化所述阻挡层；

以图案化的阻挡层为掩膜，刻蚀所述基底，形成第一级台阶面和阶梯顶面；

去除图案化的阻挡层；

形成第一保护层，所述第一保护层覆盖所述第一级台阶面及阶梯顶面；

以所述第一保护层为掩膜，刻蚀所述基底，形成第一级台阶及第二级台阶；

去除所述第一保护层。

2.如权利要求1所述的半导体多级台阶结构的制作方法，其特征在于，以所述第一保护层为掩膜，刻蚀所述基底，形成第一级台阶及第二级台阶的工艺包括如下工艺步骤：

以所述第一保护层为掩膜，利用各向同性刻蚀工艺刻蚀所述基底至第一级台阶面；

以所述第一保护层为掩膜，利用各向异性刻蚀工艺刻蚀所述基底以形成第一级台阶及第二级台阶。

3.如权利要求1或2所述的半导体多级台阶结构的制作方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括二氧化硅、氮化硅中的一种或多种。

4.如权利要求1或2所述的半导体多级台阶结构的制作方法，其特征在于，所述第一保护层的材料包括二氧化硅、氮化硅、多晶硅中的一种或多种。

5.如权利要求1或2所述的半导体多级台阶结构的制作方法，其特征在于，所述第一级台阶面和阶梯顶面的高度差为1微米～100微米。

6.如权利要求1或2所述的半导体多级台阶结构的制作方法，其特征在于，所述第二级台阶面和第一级台阶面的高度差为1微米～100微米。

7.一种半导体多级台阶结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成阻挡层；

图案化所述阻挡层；

以图案化的阻挡层为掩膜，刻蚀所述基底，形成第一级台阶面和阶梯顶面；

去除图案化的阻挡层；

形成第一保护层，所述第一保护层覆盖第二级台阶区域外的基底表面；

以所述第一保护层为掩膜，刻蚀所述基底，形成第一级台阶及第二级台阶面；

去除所述第一保护层；

形成第二保护层，所述第二保护层覆盖第三级台阶区域外的基底表面；

以所述第二保护层为掩膜，刻蚀所述基底，形成第二级台阶及第三级台阶面；

去除所述第二保护层。

8.如权利要求7所述的半导体多级台阶结构的制作方法，其特征在于，在去除所述第二保护层之后，还包括形成后续n级台阶的工艺步骤，n为自然数。