[发明专利]一种MRI磁信号增强器件有效
申请号: | 201210133046.1 | 申请日: | 2012-04-28 |
公开(公告)号: | CN102683878A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 刘若鹏;栾琳;郭洁;余铨强 | 申请(专利权)人: | 深圳光启创新技术有限公司 |
主分类号: | H01Q15/00 | 分类号: | H01Q15/00;A61B5/055 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518034 广东省深圳市福田*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mri 信号 增强 器件 | ||
技术领域
本发明涉及MRI领域,具体地涉及一种MRI磁信号增强器件。
背景技术
核磁共振(MRI)成像系统的原理是利用线圈去检测原子核自旋吸收和发射的无线电波脉冲能量,该线圈作为接收线圈,在有些时候还同时作为发射线圈。在无线电波脉冲能量的帮助下,核磁共振成像扫描仪可以定位患者体内一个非常小的点,然后确定这是何种类型的组织。核磁共振成像机器采用特定于氢原子的无线电频率脉冲。系统引导脉冲对准所要检查的身体区域,并导致该区域的质子吸收使它们以不同方向旋转或旋进所需的能量。这是核磁共振成像装置的“共振”部分。无线电频率脉冲迫使它们(指每一百万质子中多余的一对或者两对不匹配的质子)在特定频率下按照特定方向旋转。引发共振的特定频率被称为拉摩尔频率,该值是根据要成像的特定组织以及主磁场的磁场强度计算得出的。无线电频率脉冲通常利用一个线圈来提供,该线圈称为发射线圈。现有核磁共振成像设备的接收线圈必须相当近地接近待测部位,以获取由待测部位释放出来的磁信号。MRI成像设备的清晰度与主磁场强度呈正相关,主磁场磁铁系统是MRI成像设备的主要部分,为了提升MRI成像系统的成像质量,一般需要更换整台MRI成像设备,造价十分高昂。
超材料是指一些具有天然材料所不具备的超常物理性质的人工复合结构或复合材料。通过在材料的关键物理尺度上的结构有序设计,可以突破某些表观自然规律的限制,从而获得超出自然界固有的普通性质的超常材料功能。超材料的性质和功能主要来自于其内部的结构而非构成它们的材料。目前,现有的金属人造微结构的几何形状为“工”字形或者如图1所示的类似“凹”字形的开口环形,但这结构都不能实现磁导率μ明显小于0或使超材料谐振频率降低,也不能实现各向同性,只有通过设计具有特殊几何图形的金属人造微结构,才能使得该人工电磁材料在特定频段内达到磁导率μ值小于0,并具有较低的谐振频率。
目前,国际社会对磁导率方面已有大量的研究,其中对于正磁导率的研究已经趋于成熟,对于负磁导率超材料的研究是现在国内外研究的热点,负磁导率具有量子极化作用,可以对入射波产生极化作用,因此作用范围很大,如在医学成像领域中的磁共振成像技术,负磁导率材料能够加强电磁波的成像效果,另外负磁导率材料在透镜研究方面亦有重要作用,在工程领域,磁导率通常都是指相对磁导率,为物质的绝对磁导率μ与磁性常数μ0(又称真空磁导率)的比值,μr=μ/μ0,无量纲值。通常“相对”二字及符号下标r都被省去。磁导率是表示物质受到磁化场H作用时,内部的真磁场相对于H的增加(μ>1)或减少(μ<1)的程度。至今发现的自然界已存在的材料中,μ一般是大于0的。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于:提供一种MRI磁信号增强器件,该MRI磁信号增强器件为负磁导率超材料,增强MRI成像设备的成像质量,同时,MRI成像设备的成像质量增强,能够使MRI成像设备的接收线圈不必紧靠待测部位,增加MRI成像设备使用的舒适性。
本发明为实现发明目的采用的技术方案为:提供一种MRI磁信号增强器件,该MRI磁信号增强器件包括外壳以及设置在外壳内的至少一层负磁导率超材料,负磁导率超材料包括基板及多个周期性阵列排布在基板两侧面的第一人造微结构和第二人造微结构,第一人造微结构和第二人造微结构通过一个金属过孔相连,第一人造微结构和第二人造微结构均为方形螺绕环,方形螺绕环绕线圈数为3圈,第一人造微结构和第二人造微结构的尺寸为19.5mm×19.5mm,基板排布有第一人造微结构和第二人造微结构的两侧面垂直于MRI成像设备的磁信号接收线圈。
优选地,MRI磁信号增强器件的尺寸为300mm×300mm。
优选地,MRI成像设备的场强为1.5T。
优选地,第一人造微结构和第二人造微结构的线宽均为0.50-1.50mm。
优选地,第一人造微结构和第二人造微结构的线间距均为0.05-0.15mm。
优选地,第一人造微结构和第二人造微结构的线厚度均为0.03-0.05mm。
优选地,基板包括第一基板和第二基板,第一基板和第二基板均为FR-4有机高分子基板或陶瓷基板。
优选地,第一基板厚度为0.15-0.20mm。
优选地,第二基板的厚度为0.05-0.10mm。
优选地,金属过孔的孔径为0.50-0.90mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳光启创新技术有限公司,未经深圳光启创新技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210133046.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:热流道系统控制装置用活塞结构
- 下一篇:防止有害的太阳能电池极化