[发明专利]采用伪栅极去除的集成电路电阻器制造有效
| 申请号： | 201210133069.2 | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103199062A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 柯俊宏;陈志辉;王世维 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 栅极 去除 集成电路 电阻器 制造 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
提供衬底，所述衬底包括晶体管器件区和隔离区；
在所述晶体管器件区上方形成伪栅极以及在所述隔离区上方形成电阻器；
用掺杂剂注入所述电阻器；
湿法蚀刻所述伪栅极以去除所述伪栅极；以及
在所述晶体管器件区上方形成金属栅极从而替换所述伪栅极。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述伪栅极和所述电阻器包括沉积多晶硅或非晶硅。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，注入所述电阻器包括注入硅、锗、碳、氙、n-型掺杂剂、和/或p-型掺杂剂。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，注入所述电阻器包括通过光刻胶注入所述电阻器，所述光刻胶覆盖所述伪栅极并且通过孔暴露出所述电阻器。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，湿法蚀刻所述伪栅极包括用氢氧化钾(KOH)、四甲基氢氧化铵(TMAH)、或氢氧化铵(NH4OH)蚀刻。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，注入所述电阻器包括在范围为约1e14至约8e15之间的注入剂浓度下注入掺杂剂，并且其中，湿法蚀刻所述伪栅极包括对所述伪栅极蚀刻约60秒至约200秒之间。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在经注入的所述电阻器和所述伪栅极的上方形成层间介电(ILD)层；以及
使所述ILD层平坦化从而暴露出所述伪栅极和经注入的所述电阻器。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在经注入的所述电阻器和所述金属栅极的上方形成层间介电(ILD)层；以及
通过所述ILD层在所述金属栅极上方形成第一接触件，以及通过所述ILD层在所述电阻器上方形成第二接触件。
9.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
提供衬底，所述衬底包括晶体管器件区和隔离区；
在所述晶体管器件区上方形成伪栅极以及在所述隔离区上方形成电阻器；
通过光刻胶用掺杂剂注入所述电阻器，所述光刻胶覆盖所述伪栅极并且通过孔暴露出所述电阻器；
去除所述光刻胶；
在经注入的所述电阻器和所述伪栅极的上方形成层间介电(ILD)层；
使所述ILD层平坦化从而暴露出所述伪栅极和经注入的所述电阻器；
湿法蚀刻所述伪栅极以去除所述伪栅极；以及
在所述晶体管器件区上方形成金属栅极从而替换所述伪栅极。
10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
提供衬底，所述衬底包括晶体管器件区和隔离区；
在所述晶体管器件区上方形成伪栅极以及在所述隔离区上方形成电阻器；
通过光刻胶用掺杂剂注入所述电阻器，所述光刻胶覆盖所述伪栅极并且通过孔暴露出所述电阻器；
去除所述光刻胶；
在经注入的所述电阻器和所述伪栅极的上方形成第一层间介电(ILD)层；
使所述第一ILD层平坦化从而暴露出所述伪栅极和经注入的所述电阻器；
湿法蚀刻所述伪栅极以去除所述伪栅极；
在所述晶体管器件区上方形成金属栅极从而替换所述伪栅极；
在经注入的所述电阻器和所述金属栅极的上方形成第二层间介电(ILD)层；以及
通过所述第二ILD层在所述金属栅极上方形成第一接触件以及通过所述第二ILD层在所述电阻器上方形成第二接触件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
