[发明专利]半导体照明装置及其光控方法

权利要求书

1.一种半导体照明装置，其特征在于，该半导体照明装置的光源为柱状过渡至圆锥状中的任意一种，其中该光源被置于一散热装置顶部，并被罩于一光学装置中；所述散热装置在空间光分布范围内的遮光角度小于50度，且所述光学装置呈一侧开口、非球形、旋转对称形态，所述光学装置包括一顶散射区和一侧散射区。

2.根据权利要求1所述的半导体照明装置，其特征在于，所述光源包括一远程荧光罩、多个设置在所述荧光罩底部内侧的LED颗粒以及固定所述LED颗粒的基板，所述荧光罩上设置有远程荧光粉用于激发光源；所述荧光罩为柱状过渡至圆锥状中的任意一种，且其顶部呈圆弧过渡状。

3.根据权利要求1所述的半导体照明装置，其特征在于，所述散热装置包括：一基座，其采用导热材料制成，所述基座侧面形成有复数散热片，所述散热片整体呈向外凸起状，所述散热片靠近所述光学装置的边缘部位至其最大外围的连线与半导体照明装置的光学轴线的夹角小于25度并大于10度，且所述至少一片所述散热片整体的最大外围的直径小于光学装置的最大直径。

4.根据权利要求1所述的半导体照明装置，其特征在于，所述顶散射区和侧散射区呈凸形圆弧状；所述侧散射区从顶散射区至光学装置底部方向呈弧形过渡收口状。

5.根据权利要求1所述的半导体照明装置，其特征在于，所述光学装置还定义了弧形过渡连接所述顶散射区和侧散射区的凸形圆弧状上过渡区，所述顶散射区和上过渡区在所述光学轴线上的投影的长度总和与侧散射区在光学轴线上的投影的长度总和的比例在0.3~0.7之间，且侧散射区在光学轴线上的投影的长度最长。

6.根据权利要求5所述的半导体照明装置，其特征在于，所述光学装置还定义了弧形过渡连接所述侧散射区和光学装置底部的凹形圆弧状下过渡区，所述顶散射区和上过渡区在所述光学轴线上的投影的长度总和与侧散射区和下过渡区在光学轴线上的投影的长度总和的比例在0.3~0.7之间，且侧散射区在光学轴线上的投影的长度最长。

7.根据权利要求5或6所述的半导体照明装置，其特征在于，所述荧光罩的顶端位于所述上过渡区内。

8.一种半导体照明装置的光控方法，其特征在于包括以下步骤：

A、提供远端荧光粉激发排布为环形的LED光源；

B、提供基座电连接和承载该光源，并在基座上设置散热片对光源进行散热;

C、调整该基座整体遮光角使其小于50度，且散热片外围与基座中心轴线夹角在小于25度并大于10度区间调整，以符合该光源功率散热要求;

D、提供具有顶反射区与侧反射区的光学装置置于该基座顶部，并罩着该光源;

E、调整该光学装置投影方向最大直径大于该基座投影方向最大直径；以及

F、使光源通过该顶反射区及侧反射区控制光源向外均匀扩散。

9.根据权利要求8所述的光控方法，其特征在于，步骤D中，所述光学装置还具有弧形过渡连接所述顶散射区和侧散射区的凸形圆弧状上过渡区，所述顶散射区和侧散射区呈凸形圆弧状；所述侧散射区从顶散射区至光学装置底部方向呈弧形过渡收口状。

10.根据权利要求9所述的光控方法，其特征在于，所述顶散射区和上过渡区在半导体照明装置的光学轴线上的投影的长度总和与侧散射区在光学轴线上的投影的长度总和的比例在0.3~0.7之间，且侧散射区在光学轴线上的投影的长度最长。

11.根据权利要求10所述的光控方法，其特征在于，步骤A中的所述远端荧光粉涂布在罩在LED光源上的荧光罩及固定LED光源的基板上，所述荧光罩的顶端位于所述上过渡区内。

12.根据权利要求8所述的光控方法，其特征在于，所述光学装置为以下中的一种：（1）光学装置上设置有漫反射材料；（2）所述光学装置为透光扩散粒子制成。