[发明专利]一种高自谐振频率和高品质因素的叠层电感无效
申请号: | 201210133397.2 | 申请日: | 2012-05-02 |
公开(公告)号: | CN102637505A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 李有云;陆达富;刘先忺 | 申请(专利权)人: | 深圳顺络电子股份有限公司 |
主分类号: | H01F17/00 | 分类号: | H01F17/00;H01F37/00;H01F27/28;H01F27/32;H01B1/08 |
代理公司: | 深圳市中知专利商标代理有限公司 44101 | 代理人: | 张皋翔 |
地址: | 518110 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 谐振 频率 品质 因素 电感 | ||
1.一种高自谐振频率和高品质因素的叠层电感,包括由形成线圈的导体即内部电极与绝缘体叠层而形成的叠层体,以及外部端电极,所述外部端电极设置在所述叠层体长度方向即纵向两端,分别与所述线圈两端连接,其特征在于:
所述叠层体是至少两种类型的绝缘体薄片叠层为一体的结构,一种类型为构成叠层体的上、下基板的铁氧体磁性材料的第一种绝缘体薄片,另一种类型为构成叠层体的内部电极附近的第二种绝缘体薄片,其主体为铁氧体磁性材料的多个第一绝缘体和设置在第一绝缘层内部特定位置且由低介电常数和低损耗的材料组成的至少一层第二绝缘体;
在第二种绝缘体薄片的设定位置,印刷有金属材料形成线圈的导体即内部电极,在内部电极的内部又填充有低介电常数和低损耗材料的第二绝缘体,在第二种绝缘体薄片上形成的内部电极的端部通过通孔与相邻第二种绝缘体薄片的内部电极连接,即叠层体为由第二绝缘体的叠层方向作为轴向的螺形线圈,其线圈层的线圈导体设置在第一绝缘体中,线圈内部磁通形成方向即轴向为叠层体的叠层方向,与薄片边缘形成的一引出部分相连的螺形线圈的卷绕始端从叠层体的一端面引出,与薄片边缘形成的另一引出部分相连的螺形线圈的卷绕末端从叠层体的另一端引出。
2.如权利要求1所述的高自谐振频率和高品质因素的叠层电感,其特征在于:
所述至少一层第二绝缘体在多个第一绝缘体内部的特定位置包括:
线圈导体内部所包网的范围内且面积基本等于线圈导体所包围的范围;
两两相邻的线圈导体层之间且正对线圈导体;
两两相邻的线圈导体所夹的层间且面积不超出内部电极所在的位置。
3.如权利要求1或2所述的高自谐振频率和高品质因素的叠层电感,其特征在于:
所述第一绝缘体的铁氧体磁性材料是镍-锌-铜类铁氧体磁性材料。
4.如权利要求3所述的高自谐振频率和高品质因素的叠层电感,其特征在于:
所述第二绝缘体的低介电常数和低损耗的材料是三氧化二铝、二氧化硅、硅酸锆,以及三氧化二铝、二氧化硅、硅酸锆中的至少两种混合物中的一种。
5.如权利要求4所述的高自谐振频率和高品质因素的叠层电感,其特征在于:
所述第二绝缘体的介电常数至多为第一绝缘体的介电常数的20%。
6.如权利要求5所述的高自谐振频率和高品质因素的叠层电感,其特征在于:
所述第二绝缘体的低损耗至多为第一绝缘体的损耗的20%。
7.如权利要求6所述的高自谐振频率和高品质因素的叠层电感,其特征在于:
所述第二绝缘体的低损耗至多为第一绝缘体的损耗的20%。
8.如权利要求7所述的高自谐振频率和高品质因素的叠层电感,其特征在于:
所述第二绝缘体与第一绝缘体的线膨胀系数相差至多为10-7/℃。
9.如权利要求8所述的高自谐振频率和高品质因素的叠层电感,其特征在于:
所述形成线圈的导体即内部电极的金属材料是银和以银为主要成分的金属材料中的一种。
10.如权利要求9所述的高自谐振频率和高品质因素的叠层电感,其特征在于:
所述高自谐振频率是自谐振频率至少为20MHz;
所述高品质因素是品质因素值1MHz下至少为20。
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