[发明专利]多晶硅太阳能电池板无效
申请号: | 201210134155.5 | 申请日: | 2012-05-03 |
公开(公告)号: | CN103383970A | 公开(公告)日: | 2013-11-06 |
发明(设计)人: | 林耘 | 申请(专利权)人: | 大连艾珂光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0368 | 分类号: | H01L31/0368;H01L31/0224 |
代理公司: | 大连科技专利代理有限责任公司 21119 | 代理人: | 龙锋 |
地址: | 116600 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多晶 太阳能 电池板 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能技术领域,尤其涉及一种多晶硅太阳能电池板。
背景技术
现有的多晶硅太阳能电池的结构复杂,而且,在多晶硅衬底的生长过程中,由于热应力的作用,会在晶粒中产生大量的缺陷。其中,悬挂键是多晶硅中的主要缺陷之一,存在于多晶硅的畴界处,成为载流子的俘获中心,导致载流子迁移率下降。且悬挂键的存在增加电子-空穴的复合损失,导致所制得的太阳能电池的光电转换效率低。为了增加载流子的迁移率,提高光电转换效率。通常在所述多晶硅衬底的上表面沉积一磷或神层,使其与所述多晶硅衬底作用以形成掺杂硅层接着,在所述掺杂硅层的上表面通过丝网印刷形成金属电极。然而,形成掺杂硅层需在高温条件下进行,工艺复杂,另外,丝网印刷所形成的金属电极宽度较大,造成这光面积较大,导致所制得的太阳能电池的光电转换效率低。
发明内容
为了克服现有的太阳能电池板存在的光电转换效率低等问题,本发明提供了一种光电转换效率较高且结构简单的太阳能电池板。
本发明为实现上述目的所采用的技术方案是:多晶硅太阳能电池板,包括一背电极、多晶硅衬底、碳纳米管和电极,背电极设置于多晶硅衬底的下面,碳纳米管设置于多晶硅衬底的上面,电极安装于碳纳米管上方。
所述碳纳米管由互相平行的碳纳米管长线组成。
本发明的太阳能电池板,由于采用碳纳米管结构作为光电转换材料,可以饱和部分悬挂键,同时碳纳米管结构对太阳光具有很好的透光性,采用碳纳米管结构作为上电极,可以提高太阳能电池的光电转换效率;并且碳纳米管结构在太阳能电池中起到光电转换及上电极的双重作用,且无需磷或砷层,结构简单。
附图说明
图1是本发明的太阳能电池板的结构图。
图2是本发明的太阳能电池板的碳纳米管结构图。
具体实施方式
本发明的太阳能电池板的结构如图1和图2所示,包括一背电极12、多晶硅衬底14、碳纳米管16和电极18,背电极12设置于多晶硅衬底14的下面,碳纳米管16设置于多晶硅衬底14的上面,电极18安装于碳纳米管16上方。碳纳米管16由互相平行的碳纳米管长线组成。电极18 的设直可用于收集流过所述碳纳米管16 中的电流,并与外电路连接。所述背电极12 的材料可为铝、钱或者银等金属。所述背电极12 的厚度为10 微米~300 微米。所述背电极12 的形状和厚度不限。所述多晶硅衬底14 为p 型多晶硅片。该多晶硅衬底14 的厚度为200 微米~300 微米。所述多晶硅衬底14 与所述碳纳米管16 形成异质结结构,从而实现所述太阳能电池中光能到电能的转换。碳纳米管16 为一层状结构,包括多个均匀分布的碳纳米管长线。该碳纳米管结构具有良好的吸收太阳光能力,在所述太阳能电池10 中起到光电转换材料及上电极的双重作用。该碳纳米管结构包括元序碳纳米管层或者有序碳纳米管层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的