[发明专利]保护可编程器件免受过电压冲击的系统和方法

权利要求书

1.一种可编程集成电路器件，包含：

构造为存储至少一个比特的值的寄存器，所述寄存器耦合应用电压源；

过电压检测电路，构造为：

检测由所述应用电压源生成的电压；和

如果所述检测的电压大于和/或等于触发电压，生成过电压信号；

和

逻辑电路，构造为响应所述生成的过电压信号清除所述寄存器。

2.根据权利要求1所述的可编程集成电路器件，其中由所述应用电压源为所述过电压检测电路供电。

3.根据权利要求1所述的可编程集成电路器件，其中如果所述检测的电压小于所述触发电压，那么所述过电压检测电路消耗可以忽略不计的电流的量。

4.根据权利要求1所述的可编程集成电路器件，其中所述过电压检测电路包含：

电压传感块，其耦合至所述应用电压源，所述电压传感块具有特征启动电压，其中所述电压传感块被构造为如果由所述应用电压源产生的电压超过或等于所述特征启动电压，则产生控制信号；和

开关电路，构造为响应所述控制信号产生所述过电压信号。

5.根据权利要求4所述的可编程集成电路器件，其中所述电压传感块包含一组堆叠的二极管，其中每个所述二极管均具有接通电压，以及其中所述特征启动电压是所述二极管管组中每个所述二极管的所述接通电压的总和。

6.根据权利要求4所述的可编程集成电路器件，其中所述开关电路具有阈值，所述触发电压等于所述特征启动电压和所述阈值电压的总和，以及所述开关电路构造为，如果由所述应用电压源产生的电压超过或等于所述触发电压，就响应所述控制信号产生所述过电压信号。

7.根据权利要求4所述的可编程集成电路器件，其中所述开关电路包含耦合所述应用电压源的晶体管。

8.一种可编程集成电路器件，包含：

寄存器，其耦合应用电压源，所述寄存器构造为存储至少一个比特值；

过电压检测电路，包含：

耦合所述应用电压源的一组堆叠二极管，如果由所述应用电压源产生的电压大于和/或等于特征启动电压，那么所述堆叠二极管可操作地传导电流，其中所述特征启动电压是起动所述堆叠的二极管管组中每个二极管所需的总电压；和

耦合所述堆叠二极管和所述寄存器的晶体管，如果由所述应用电压源产生的电压大于和/或等于所述特征启动电压和阈值电压的总和，那么所述晶体管可操作地生成过电压信号，其中所述阈值电压是起动所述晶体管所需的电压；和

逻辑电路，所述逻辑电路可操作地响应所述生成的过电压信号清除所述寄存器。

9.根据权利要求8所述的可编程集成电路器件，其中所述过电压检测电路进一步包含：

第一阻抗，所述第一阻抗耦合所述堆叠二极管组、所述晶体管和局部接地；和

第二阻抗，所述第二阻抗耦合所述应用电压源、所述晶体管和所述寄存器。

10.根据权利要求9所述的可编程集成电路器件，所述第一阻抗和所述第二阻抗均是电阻器。

11.根据权利要求9所述的可编程集成电路器件，所述晶体管是NMOS晶体管，以及其中所述晶体管的栅极耦合所述堆叠二极管组和所述第一阻抗，所述晶体管的漏极耦合所述第二阻抗和所述寄存器，和所述晶体管的源极耦合所述局部接地。

12.根据权利要求8所述的可编程集成电路器件，其中所述堆叠二极管管组包含三个低漏电流二极管，以及其中所述特征启动电压基本上等于2.1伏特。

13.一种保护可编程集成电路器件免受过电压冲击的方法，所述方法包含：

利用过电压检测电路检测由应用电压源产生的电压；

如果所述检测的电压大于和/或等于触发电压，则利用所述过电压检测电路生成过电压信号；和

利用逻辑电路响应所述生成的过电压信号清除寄存器。

14.根据权利要求13所述的方法，进一步包含通过所述应用电压源提供功率给所述过电压检测电路。

15.根据权利要求13所述的方法，其中如果所述检测电压小于所述触发电压，则所述过电压检测电路消耗可以忽略不计的电流的量。