[发明专利]MOS晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201210134258.1 | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103377945A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 形成 方法 | ||
1.一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域的半导体衬底表面形成有PMOS晶体管的第一栅极结构，所述第二区域的半导体衬底表面形成有NMOS晶体管的第二栅极结构；
在第一区域的第一栅极结构两侧的半导体衬底内形成第一沟槽，在第二区域的第二栅极两侧的半导体衬底内形成第二沟槽；
在第一沟槽和第二沟槽内填充满硅锗层；
对第二沟槽内的硅锗层进行离子注入，释放第二沟槽内的硅锗层的应力。
2.如权利要求1所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述离子注入注入的第一离子为碳离子或氮离子。
3.如权利要求2所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述离子注入的剂量范围为1E14~5E15/cm2，能量范围为2~50KeV。
4.如权利要求2的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述离子注入后，所述硅锗层中锗原子与碳离子或氮离子的摩尔比例小于等于10。
5.如权利要求1述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述硅锗层中锗原子的摩尔百分比含量为5%~30%。
6.如权利要求1所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，对第二沟槽内的硅锗层进行离子注入之前，还包括：在半导体衬底上形成掩膜层，所述掩膜层暴露第二区域的第二沟槽内的硅锗层。
7.如权利要求6所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为光刻胶。
8.如权利要求2所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述离子注入注入的第二离子为磷离子或砷离子，形成NMOS晶体管的源/漏区。
9.如权利要求1所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述离子注入后，还包括：对所述半导体衬底进行退火。
10.如权利要求9所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述退火为均温退火、尖峰退火或激光退火。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
