[发明专利]自适应低压差线性稳压器有效
申请号: | 201210134442.6 | 申请日: | 2012-05-03 |
公开(公告)号: | CN103383580A | 公开(公告)日: | 2013-11-06 |
发明(设计)人: | 方狄 | 申请(专利权)人: | 三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 郭鸿禧 |
地址: | 215021 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 自适应 低压 线性 稳压器 | ||
1.一种低压差线性稳压器(LDO),包括误差放大器和LDO输出级电路,误差放大器将LDO输出级电路产生的稳压器输出信号与参考电压进行比较,并输出控制信号用于控制LDO输出级电路,其特征在于,还包括:
源跟随器电路,位于误差放大器输出端与LDO输出级电路控制端之间,接收误差放大器输出的控制信号,并且源跟随器电路的输出端输出的输出信号用于控制LDO输出级电路。
2.如权利要求1所述的LDO,其中,源跟随器电路包括第一NMOS管和第二NMOS管,第一NMOS管的栅极接收误差放大器输出的控制信号,第一NMOS管的源极连接到第二NMOS管的漏极,第二NMOS管的栅极接收偏置信号并提供给第一NMOS管,第一NMOS管的源极为源跟随器电路的输出端。
3.如权利要求2所述的LDO,其中,第一NMOS管是零阈值NMOS管(ZVT NMOS)。
4.如权利要求3所述的LDO,其中,第一NMOS管具有大宽长比,以减小第一NMOS管的过驱动电压。
5.如权利要求1~4之一所述的LDO,还包括:
自适应电路,包括第一PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管,其中,第一PMOS管的栅极连接到源跟随器电路的输出端,第三NMOS管的栅极和漏极互相连接并同时连接至第一PMOS管的漏极和第四NMOS管的栅极,第四NMOS管的漏极连接到源跟随器电路的输出端。
6.如权利要求5所述的LDO,其中,自适应电路和源跟随器电路构成自适应源跟随器。
7.如权利要求5所述的LDO,其中,第一PMOS管的宽长比小于LDO输出级电路中的PMOS管的宽长比,
其中,LDO输出级电路中的PMOS管受控于源跟随器电路的输出信号。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社,未经三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210134442.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。