[发明专利]锰氧化物纳米线、电池和制造锰氧化物的方法无效

专利信息
申请号: 201210134979.2 申请日: 2012-05-02
公开(公告)号: CN102765759A 公开(公告)日: 2012-11-07
发明(设计)人: 崔信政 申请(专利权)人: 三星康宁精密素材株式会社
主分类号: C01G45/02 分类号: C01G45/02;C01G45/00;B82Y40/00;H01M4/50;H01M4/505;B82Y10/00;B82Y30/00
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 王占杰;刘灿强
地址: 韩国庆尚*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 氧化物 纳米 电池 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种锰氧化物纳米线,所述锰氧化物纳米线具有20或更大的纵横比。

2.如权利要求1所述的锰氧化物纳米线,其中,所述锰氧化物纳米线是β-MnO2纳米线、γ-MnOOH纳米线或LixMn2O4纳米线。

3.如权利要求1所述的锰氧化物纳米线,其中,所述锰氧化物纳米线具有15nm至50nm的范围内的线宽度。

4.一种电池,所述电池包括如权利要求1至3中的任一项所述的锰氧化物纳米线。

5.一种制造锰氧化物纳米线的方法,所述方法包括:

制备包括锰盐和氧化剂的混合溶液;

通过将碱加入到所述混合溶液来调节pH值;以及

使经过pH值调节的混合溶液在50℃至200℃的范围内的温度下反应1小时至10天。

6.如权利要求5所述的方法,其中,所述锰氧化物纳米线是γ-MnOOH纳米线。

7.如权利要求6所述的方法,其中,所述锰氧化物纳米线是β-MnO2纳米线,并且所述方法还包括:使所述γ-MnOOH纳米线在空气中在200℃至500℃的范围内的温度下退火1小时至10天。

8.如权利要求6所述的方法,其中,所述锰氧化物纳米线是LixMn2O4纳米线,并且所述方法还包括:使所述γ-MnOOH纳米线在空气中在200℃至500℃的范围内的温度下退火1小时至10天来制备β-MnO2纳米线;以及将所述β-MnO2纳米线与锂盐混合,并将该混合物在300℃至650℃的范围内的温度下退火1小时至10天。

9.如权利要求5至8中的任一项所述的方法,其中,所述锰氧化物纳米线具有20或更大的纵横比。

10.如权利要求5至8中的任一项所述的方法,其中,所述pH值在9.3至10.5的范围内。

11.如权利要求5至8中的任一项所述的方法,其中,所述锰盐是MnSO4、Mn[NO3]2、MnCl2或Mn[CH3COO]2

12.如权利要求5至8中的任一项所述的方法,其中,所述氧化剂是[NH4]2S2O8、Li2S2O8、Na2S2O8或K2S2O8

13.如权利要求5至8中的任一项所述的方法,其中,基于100重量份的所述锰盐,混合500重量份的所述氧化剂。

14.如权利要求8中的任一项所述的方法,其中,所述锂盐是从由LiOH、LiNO3、Li2CO3、Li(CH3O)、Li(CH3CH2O)、Li(CH3COO)、Li2O及其水合物组成的组中选择的至少一种金属盐。

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