[发明专利]发光器件及其制造方法和发光器件封装

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及一种发光器件及其制造方法和发光器件封装。

背景技术

发光二极管(LED)是将电流转换成光的发光器件。近来，随着LED的亮度逐步提高，LED正在广泛地应用于显示器件、机动车辆和照明设备的光源。

近年来，已经开发出了产生例如蓝光或绿光等的短波长光来实现全彩色的高功率发光芯片。因而，可以在发光芯片上涂覆磷光剂，该磷光剂吸收从发光芯片发出的一部分光以发出波长与所吸收的光不同的光，以便将具有不同颜色的LED彼此结合并且还用于实现发射白光的LED。

发明内容

本发明的实施例提供一种发光器件，其中，设置在邻近于第二导电类型半导体层的阱层之间的第二势垒层的带隙窄于有源层中其他势垒层的带隙。

本发明的实施例提供一种发光器件，其中，设置在邻近于第二导电类型半导体层的阱层之间的第二势垒层的带隙和厚度小于其他势垒层的带隙和厚度。

在一个实施例中，一种发光器件包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层，位于所述第一导电类型半导体层上；以及有源层，位于所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间，所述有源层包括多个阱层和多个势垒层，其中，所述多个势垒层包括：第一势垒层，距离所述第二导电类型半导体层最近，所述第一势垒层具有第一带隙；第二势垒层，邻近所述第一势垒层，所述第二势垒层具有第三带隙；以及至少一个第三势垒层，所述第三势垒层位于所述第二势垒层和所述第一导电类型半导体层之间并具有第一带隙；所述多个阱层包括：第一阱层，位于所述第一势垒层和所述第二势垒层之间，所述第一阱层具有第二带隙；以及第二阱层，位于所述第二势垒层和所述至少一个第三势垒层之间；所述第二势垒层设置在所述第一阱层和所述第二阱层之间，并且所述第三带隙比所述第一带隙窄而比所述第二带隙宽。

在另一个实施例中，一种发光器件包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层；以及有源层，位于所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间，所述有源层包括多个阱层和多个势垒层，其中，所述多个势垒层包括：第一势垒层，距离所述第二导电类型半导体层最近，所述第一势垒层具有第一带隙；第二势垒层，邻近所述第一势垒层，所述第二势垒层具有第三带隙；以及至少一个第三势垒层，所述第三势垒层位于所述第二势垒层和所述第一导电类型半导体层之间并具有第一带隙；所述多个阱层包括：第一阱层，位于所述第一势垒层和所述第二势垒层之间；以及第二阱层，位于所述第二势垒层和所述至少一个第三势垒层之间；所述多个阱层具有彼此相同的厚度和第二带隙，所述第二势垒层设置在所述第一阱层和所述第二阱层之间，并且所述第三带隙比所述第一带隙窄而比所述第二带隙宽。

在又一个实施例中，一种发光器件包括：第一导电类型半导体层，该第一导电类型半导体层包括氮化物半导体层；第二导电类型半导体层，该第二导电类型半导体层包括氮化物半导体层；以及有源层，位于所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间，所述有源层包括交替设置的多个势垒层和多个阱层，其中，所述多个阱层包括：第一阱层，距离所述第二导电类型半导体层最近；第二阱层，距离所述第一阱层最近，所述第一阱层和第二阱层中的每一个均具有第二带隙；所述多个势垒层包括：多个第一势垒层，每一个均具有第一带隙；以及一个第二势垒层，所述第二势垒层具有第三带隙，所述第二势垒层设置在所述第一阱层和所述第二阱层之间，并且所述第三带隙的范围是从第一带隙到第二带隙。

根据实施例的发光器件可以提供新的有源层。因而，有源层的内部量子效率(inner quantum efficiency)得以提高。由于注入到有源层的空穴被分散到彼此不同的阱层中，空穴和电子的再次结合得以提高以改善光强度。因而，可以改善从有源层发出的光的色彩纯度。在实施例中，光强可以得到改善。根据实施例，发光器件和包括发光器件的发光器件封装的可靠性可以得到改善。

在以下的附图和描述中列出了一个或多个实施例的细节。其他特征将根据说明书、附图以及权利要求而变得明显。

附图说明

图1是根据第一实施例的发光器件的侧剖视图。

图2是示出图1的有源层的能带的视图。

图3是示出根据第二实施例的发光器件中有源层的能带的视图。

图4是示出根据比较示例和实施例的发光器件的波长频谱的曲线图。

图5是示出图1的发光器件的另一个示例的视图。

图6是示出图1的发光器件的另一个示例的视图。