[发明专利]一种碳化硅晶须的制备方法及相关应用

权利要求书

1.生产纳米SiC晶须的工艺，包括以下几个步骤：

(1)将稻壳在空气中热处理，以除去碳元素，制得白灰。处理温度在500℃到800℃之间为宜；

(2)将白灰和商业碳源均匀混合在一起；

(3)在一定的压力下(0～1000MPa)将上述混合物压制成一定的形状的坯体(柱状，盘状、块状等)；

(4)将上述坯体放置到热处理气氛炉中，升高到一个比较高的温度(1200℃到1700℃)，并且在高温处恒温一定时间(0～200分钟)，然后冷却至室温。整个热处理过程有惰性气氛保护反应物；

(5)从炉子里收集反应产物，即SiC晶须；

(6)经反应产物在空气中热处理(600～800℃)以纯化产品。

2.在权利要求1中，稻壳除碳的温度为500～800℃，以防止所得的白灰晶化。

3.在权利要求1中，商业碳源的直径为1～100μm。

4.在权利要求1中，原料混合物中C/Si的摩尔比例范围为1～10。

5.在权利要求1中，白灰和商业碳源经过球磨机快速均匀混合(30～900秒)，球料质量比为10～30。

6.在权利要求1中，坯体成型压力为0～1000MPa。

7.在权利要求1中，所使用的保护性惰性气体为氩气。

8.在权利要求1中，所制备的SiC晶须在空气中热处理以纯化，处理温度为300℃～800℃，时间为10分钟～200分钟。

9.通过特定商业碳源来调节反应机制以提高SiC晶须产率的工艺技术。

10.串珠型SiC晶须对复合材料增强的高效机制。

11.SiC晶须对热流体的热传递性质的高效加强作用。