[发明专利]发光二极管的电极接触结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管，特别涉及一种发光二极管的电极接触结构。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode；LED)，具有轻薄短小、省电等特性，已广泛的应用于照明、交通号志、广告招牌等等，其主要由半导体材料多重磊晶（外延）堆叠而成，以蓝光发光二极管为例，其主要是氮化镓基(GaN-based)磊晶薄膜组成。

请参阅图1A与图1B所示，为一种现有垂直式发光二极管，其包含组成三明治结构的一N型半导体层1、一发光层2与一P型半导体层3，该P型半导体层3之下依序设置一反射层4(Mirror layer)、一缓冲层5(buffer layer)、一结合层6、一硅基板7与一P型电极8，而该N型半导体层1的表面可以粗化处理以增加光出射率，并供设置一N型电极9，据此于该N型电极9与该P型电极8施予电压后，该N型半导体层1提供电子，而该P型半导体层3提供电洞，该电子与该电洞于该发光层2结合后即可产生光。

为了增加光取出率，该N型半导体层1的表面会粗化处理而形成一不规则表面1A，而该N型电极9为直接形成于该不规则表面1A上，又该N型电极9一般为使用如溅镀、蒸镀等薄膜工艺形成，因此该N型电极9与该N型半导体层1之间，在进行薄膜工艺之时，会于该不规则表面1A的死角处形成空隙1B(void)，其不但造成接触不良而增加接触阻抗，且制作不规则表面时易导致其分子产生旋键而拘限载子，而导致发光效率低落。

发明内容

本发明的主要目的在于揭露一种发光二极管的电极接触结构，可避免电极与半导体之间产生空隙而造成接触不良，以提高发光效率。

本发明为一种发光二极管的电极接触结构，应用于一发光二极管，该发光二极管含依序堆叠的多个N型电极、一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层、一反射层、一缓冲层、一结合层、一永久基板与一P型电极，且该N型半导体层形成有一不规则表面。

本发明的技术特征为，于该N型半导体层形成多个接触平台，该多个接触平台具一图案分布的设置于该N型半导体层上，且该不规则表面形成于该N型半导体层不具该多个接触平台的区域，并该多个N型电极分别形成于该多个接触平台上。

据此，本发明让该多个N型电极形成于该多个接触平台上，以通过该多个接触平台提供平坦界面，其利用薄膜工艺形成该N型电极时，不会形成空隙，因此可让该N型电极与该接触平台维持良好的电性接触，同时可避免制作不规则表面时易导致其分子产生旋键而拘限载子，而提高发光效率。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1A，为现有发光二极管结构图；

图1B，为现有发光二极管空隙结构图；

图2，为本发明二极管结构图；

图3A~图3C，为本发明二极管结构制造流程图。

具体实施方式

兹有关本发明的详细内容及技术说明，现以实施例来作进一步说明，但应了解的是，该些实施例仅为例示说明之用，而不应被解释为本发明实施的限制。

请再参阅图2所示，为本发明的实施例，本发明为一种发光二极管的电极接触结构，应用于一发光二极管100，该发光二极管100包含依序堆叠的多个N型电极10、一N型半导体层20、一发光层30、一P型半导体层40、一反射层50、一缓冲层60、一结合层70、一永久基板80与一P型电极90，且该N型半导体层20形成有一不规则表面201。

本发明让该N型半导体层20一体形成多个接触平台202，该多个接触平台202为具一图案分布的设置于该N型半导体层20上，且该不规则表面201形成于该N型半导体层20不具该多个接触平台202的区域，并该多个N型电极10分别形成于该多个接触平台202上。

请再一并参阅图3A~图3C所示，为本发明的制造示意图。

首先，如图3A所示，本发明为先制成依序堆叠的一N型半导体层20、一发光层30、一P型半导体层40、一反射层50、一缓冲层60、一结合层70、一永久基板80与一P型电极90，且该N型半导体层20可以包含一第一N型半导体层21与一第二N型半导体层22。且其中该缓冲层60可以为选自钛、钨、铂、镍、铝与铬所组成的群组制成。该结合层70可以为选自金锡合金、金铟合金与金铅合金的任一种制成。该永久基板80可以为选自硅基板、铜基板、铜钨基板、氮化铝基板与氮化钛基板的任一种制成。该反射层50可以为选自铝、镍、银与钛所组成的群组制成。