[发明专利]多级非热等离子体设备和用于处理流体流的方法

权利要求书

1.一种处理流体流的设备，包括：

第一级非热等离子体（NTP）生成单元组件，所述第一级NTP生成单元组件可操作以在第一流动路径中产生第一NTP场；

第二级NTP生成单元组件，所述第二级NTP生成单元组件可操作以在相对位于所述第一流动路径中的所述第一NTP场下游的所述第一流动路径中产生第二NTP场；和

控制系统，其被耦连以控制所述第一和至少所述第二NTP生成单元组件，以分别在第一周期过程中产生：具有第一组NTP场特征的所述第一NTP场，和具有第二组NTP场特征的所述第二NTP场，所述第二组NTP场特征与所述第一组NTP场特征不同。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一和所述第二组NTP场特征包括频率，并且所述控制系统可操作以控制所述第一NTP生成单元组件，使得所述第一NTP场具有第一频率，并可操作以控制所述第二NTP生成单元组件，使得所述第二NTP场具有第二频率，所述第二频率与所述第一频率不同。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一和所述第二组NTP场特征包括波形或功率水平中的至少一个，并且所述控制系统可操作以控制所述第一级NTP生成单元组件以具有第一波形或第一功率水平中的至少一个，并且可操作以控制所述第二级NTP生成单元组件以具有分别与所述第一波形或第一功率水平不同的第二波形或第二功率水平中的至少一个。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一和所述第二组NTP场特征包括频率、波形和功率水平，并且所述控制系统被配置成控制所述第一NTP生成单元组件，使得所述第一NTP场特征将第一化合物转换成第二化合物，并控制所述第二NTP生成单元组件，使得所述第二NTP场特征将所述第二化合物转换成第三化合物。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一和所述第二组NTP场特征包括频率、波形和功率水平，并且所述控制系统被配置成控制所述第一NTP生成单元组件，使得所述第一NTP场特征破坏第一易挥发有机化合物（VOC），并控制所述第二NTP生成单元组件，使得所述第二NTP场特征破坏第二VOC，所述第二VOC相对不如所述第一VOC复杂。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一和所述第二组NTP场特征包括频率、波形和功率水平，并且所述控制系统被配置成控制所述第一NTP生成单元组件，使得所述第一NTP场特征破坏多个类型的第一易挥发有机化合物（VOC），并控制所述第二NTP生成单元组件，使得所述第二NTP场特征破坏多个类型的第二VOC，所述第二VOC的类型的数目比所述第一VOC的类型的数目少。

7.根据权利要求1所述的设备，进一步包括：

至少一个传感器，其被定位以检测至少一个特征，所述至少一个特征指示所述第一组NTP场特征中的至少一个与所述第一级NTP生成单元组件的至少一个操作特征之间的第一级比率，其中所述第一级比率指示所述第一NTP场和通过所述第一NTP场的流体流中的多个污物的相互作用。

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述控制系统被配置成识别使功率最小化的所述第一NTP场的至少一个频率，并控制所述第一级NTP生成单元组件的操作以在操作过程中至少部分基于指示所述第一级比率的反馈在所识别的频率附近振荡。

9.根据权利要求1所述的设备，进一步包括：

第三级NTP生成单元组件，所述第三级NTP生成单元组件可操作以在相对位于所述第一流动路径中的所述第一和所述第二NTP场下游的所述第一流动路径中产生第三NTP场，和

其中所述控制系统被耦连以控制所述至少第三NTP生成单元组件，以在所述第一周期过程中产生具有第三组NTP场特征的第三NTP场，所述第三组NTP场特征与所述第一和所述第二组NTP场特征不同。

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述第一、第二和第三组NTP场特征包括频率、波形和功率水平，并且所述控制系统被配置以控制所述第一NTP生成单元组件，使得所述第一NTP场特征破坏第一易挥发有机化合物（VOC），并控制所述第二NTP生成单元组件，使得所述第二NTP场特征破坏第二VOC，并控制所述第三NTP生成单元组件，使得所述第三NTP场特征破坏第三VOC，所述第三VOC相对不如所述第二VOC复杂，且所述第二VOC相对不如所述第一VOC复杂。