[发明专利]一种氧化物半导体上电极层的刻蚀方法

权利要求书

1.一种氧化物半导体上电极层的刻蚀方法，其特征在于，包括：

在氧化物半导体层上制备含有钼的电极层；

使用含有双氧水的刻蚀液对所述含有钼的电极层进行电极的刻蚀。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用含有双氧水的刻蚀液对所述含有钼的电极层进行电极的刻蚀，包括：

使用抗蚀剂在所述含有钼的电极层上绘制电极的图案；

将所述含有钼的电极层浸没在含有双氧水的刻蚀液中，直到没有涂抹所述抗蚀剂的部分完全被刻蚀；

去除所述含有钼的电极层上的抗蚀剂，形成电极。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述抗蚀剂包括：光刻胶；

所述使用抗蚀剂在所述含有钼的电极层上绘制电极的图形，包括：

在所述含有钼的电极层上涂抹光刻胶；

依次使用前烘、曝光、显影和后烘的方法使得所述含有钼的电极层中非电极的部分露出。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在氧化物半导体层上制备含有钼的电极层之前，包括：

在基片上制备氧化物半导体层，所述基片含有玻璃基板、栅极和绝缘层。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，

所述氧化物半导体层的成分包括：氧化锌；

所述氧化物半导体层的成分还包括：铟，镓，铝，镁，钕，钽，铪和锡中任意一项或两项以上的组合；

所述氧化物半导体层通过溅射，激光脉冲沉积或原子层沉积的方法制备，厚度为20至100纳米。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，

所述含有钼的电极层包括：钼金属或钼合金；

所述含有钼的电极层通过溅射、离子镀或蒸发的方法制备，厚度为10至1000纳米。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述含有双氧水的刻蚀液为双氧水的水溶液，或在双氧水的水溶液中添加碱后形成的混合溶液。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述双氧水的水溶液的浓度为5wt.%至70wt.%。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述碱为氢氧化钾、氢氧化钠或氨水。