[发明专利]碳纳米管结构的制备方法

权利要求书

1.一种碳纳米管结构的制备方法，其包括以下步骤：

提供一基底，该基底具有一生长面；

在所述生长面设置一碳纳米管层，该碳纳米管层包括多个第一碳纳米管，且所述生长面通过该碳纳米管层部分暴露；

沉积催化剂，从而在所述碳纳米管层的表面形成一第一催化剂，在所述生长面形成一第二催化剂；以及

生长碳纳米管，在所述基底的生长面生长多个第二碳纳米管从而形成一碳纳米管阵列，且在所述碳纳米管层的表面生长多个第三碳纳米管而形成一碳纳米管丛。

2.如权利要求1所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管层具有多个空隙，且所述生长面通过该多个空隙部分暴露。

3.如权利要求2所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述空隙的尺寸为2纳米~100微米。

4.如权利要求3所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述空隙的尺寸为10纳米~500纳米。

5.如权利要求4所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述空隙的尺寸为50纳米~100纳米。

6.如权利要求2所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述空隙的占空比为95:5 ~5:95。

7.如权利要求6所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述空隙的占空比为8:2~2:8。

8.如权利要求7所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述空隙的占空比为6:4~4:6。

9.如权利要求2所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述沉积催化剂的步骤中，一部分催化剂沉积在该多个第一碳纳米管的表面形成该第一催化剂，而另一部分催化剂通过该多个空隙沉积在所述基底的生长面形成该第二催化剂。

10.如权利要求1所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述沉积催化剂的方法为电子束蒸发、磁控溅射、等离子体沉积、电沉积以及化学气相沉积中的一种或多种。

11.如权利要求1所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述生长碳纳米管的步骤中，所述多个第二碳纳米管通过所述第二催化剂生长，所述多个第三碳纳米管通过所述第一催化剂生长。

12.如权利要求1所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述多个第二碳纳米管沿着垂直于生长面的方向生长形成该碳纳米管阵列，且该多个第二碳纳米管将所述碳纳米管层沿着远离生长面的方向顶离，从而使该碳纳米管层设置于该碳纳米管阵列的一表面。

13.如权利要求1所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述第二碳纳米管靠近碳纳米管层的一端与第一碳纳米管相互缠绕。

14.如权利要求1所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述多个第三碳纳米管同时缠绕在所述多个第一碳纳米管表面以及多个第二碳纳米管靠近所述碳纳米管层的一端的表面。

15.如权利要求1所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述多个第三碳纳米管中的每个第三碳纳米管至少部分缠绕在所述多个第一碳纳米管表面且部分缠绕在多个第二碳纳米管靠近所述碳纳米管层的一端的表面。

16.如权利要求1所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述生长碳纳米管的方法为化学气相沉积法，且所述多个第二碳纳米管与所述多个第三碳纳米管同时生长。

17.如权利要求1所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，进一步包括一通过该碳纳米管层将该碳纳米管阵列和碳纳米管丛从基底的生长面一体剥离的步骤。

18.如权利要求1所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述基底具有多个开孔，从而使得该碳纳米管阵列为一图案化的碳纳米管阵列。