[发明专利]应变硅纳米线NMOSFET的制备方法

权利要求书

1.一种应变硅纳米线NMOSFET的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，提供SOI硅片，包括硅衬底、硅衬底上的埋氧层和埋氧层上的顶层硅；

步骤2，定义硅纳米线场效应晶体管区域，并在顶层硅和埋氧层之间形成空洞层，在空洞层上方的顶层硅上制备出硅纳米线；

步骤3，沉淀无定形碳，并填充顶层硅下方的空洞层；

步骤4，刻蚀栅极区域的无定形碳，直至露出埋氧层；

步骤5，进行栅氧工艺制备栅氧层，并沉积栅极材料；

步骤6，去除无定形碳；

步骤7，沉积绝缘介质材料，并填充顶层硅下方的空洞层，刻蚀形成栅极侧墙；

步骤8，刻蚀源漏衬垫区域的顶层硅，在源漏极区域生长碳硅层，同时进行源漏区域原位掺杂；

步骤9，进行金属硅合金工艺，及接触孔工艺，将源、漏、栅极引出。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1中的埋氧层的厚度为10~1000nm，顶层硅厚度为10~200nm。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1中还包括通过离子注入或所述顶层硅中原始含有杂质离子，作为后续器件的沟道掺杂离子。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2中通过光刻或刻蚀形成硅纳米线场效应晶体管区域，并直至刻蚀掉部分埋氧层。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2中采用湿法刻蚀去除部分埋氧层，形成空洞层。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2中通过热氧化工艺和湿法刻蚀工艺，制备出空洞层上方的顶层硅上的硅纳米线。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述硅纳米线的截面形状为圆形，横向跑道形或纵向跑道形。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤4中通过光刻或选择性刻蚀将栅极区域刻蚀出来，并直至埋氧层。

9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤5中的栅极材料为金属栅极材料。