[发明专利]一种精确控制CMP研磨盘温度的装置无效
| 申请号： | 201210135995.3 | 申请日： | 2012-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102672594A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 方精训;邓镭 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/015 | 分类号： | B24B37/015 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 精确 控制 cmp 研磨 温度 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种精确控制CMP研磨盘温度的装置，包括：机台以及机台内设有的研磨盘，其特征在于，还包括：半导体制冷装置，所述半导体制冷装置均匀分布地设于所述研磨盘下底面；
一温度控制装置，所述温度控制装置设于机台内，并与所述半导体制冷装置连接；
一温度检测装置，所述温度检测装置设于机台内位于研磨盘上方，并与所述温度控制装置连接。
2.根据权利要求1所述的精确控制CMP研磨盘温度的装置，其特征在于，所述半导体制冷装置之间为串联连接。
3.根据权利要求1所述的精确控制CMP研磨盘温度的装置，其特征在于，所述半导体制冷装置吸热面向上紧贴研磨盘，所述半导体制冷装置的散热面向下。
4.根据权利要求1所述的精确控制CMP研磨盘温度的装置，其特征在于，所述温度检测装置为红外线温度检测装置。
5.根据权利要求1所述的精确控制CMP研磨盘温度的装置，其特征在于，所述半导体制冷装置的制冷温度范围为正温90度至负温130度。
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