[发明专利]一种提高静态随机存储器写入冗余度的方法有效
| 申请号： | 201210136000.5 | 申请日： | 2012-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102683289A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8244 | 分类号： | H01L21/8244 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 静态 随机 存储器 写入 冗余 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高静态随机存储器写入冗余度的方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供静态随机存储器衬底，所述衬底上包括依次相邻的NMOS区域、第一PMOS区域和第二PMOS区域，所述第一NMOS区域用于制备普通NMOS器件、控制管和下拉管，所述第一PMOS区域用于制备普通PMOS器件，所述第二PMOS区域用于制备上拉管；
在所述NMOS区域、所述第一PMOS区域和所述第二PMOS区域之间形成浅槽隔离区；
同时对所述NMOS区域和所述第二PMOS区域采取局部应变硅技术，使得所述NMOS区域和所述第二PMOS区域均位于锗硅虚拟衬底之上的外延硅薄膜之中。
2.如权利要求1所述的提高静态随机存储器写入冗余度的方法，其特征在于，在完成所述NMOS区域或者所述第一PMOS区域或者所述第二PMOS区域的制作过程中包括在硅薄膜上沉积栅极材料，刻蚀形成栅极并制作侧墙。
3.如权利要求2所述的提高静态随机存储器写入冗余度的方法，其特征在于，所述沉积方法采用化学气相法。
4.如权利要求2所述的提高静态随机存储器写入冗余度的方法，其特征在于，所述刻蚀采用干法刻蚀。
5.如权利要求2所述的提高静态随机存储器写入冗余度的方法，其特征在于，所述硅薄膜为氮化硅或者氧化硅。
6.如权利要求1所述的提高静态随机存储器写入冗余度的方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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