[发明专利]一种形成多层台阶结构的工艺路线

权利要求书

1.一种形成多层台阶结构的工艺路线，其特征在于，包括以下步骤：

S1：提供一衬底，在所述衬底上淀积一第一介电层，在所述第一介电层上淀积金属层，然后，在所述第一介电层和所述金属层上依次沉积一刻蚀停止层和第二介电层；

S2：在所述第二介电层中开设第一通孔；

S3：在所述第一通孔和所述第二介电层表面覆盖一抗反射层，并在所述抗反射层表面进行光刻胶；

S4：在所述抗反射层中开设第二通孔；

S5：在所述第二通孔中覆盖一抗反射层，并在所述抗反射层表面进行光刻胶，同时，循环S4和S5若干次；

S6：去除覆盖的所述抗反射层；

S7：刻蚀所述第一通孔和所述第二通孔直至所述第一介电层；

S8：在所述第一通孔、所述第二通孔以及所述第二介电层表面依次沉积金属下极板、介电质和金属上极板；

S9：对所述金属下极板、所述介电质和所述金属上极板进行化学研磨，形成多层台阶结构电容器。

2.根据权利要求1所述的形成多层台阶结构的工艺路线，其特征在于，根据上述步骤S4和S5，经过多次循环开设的所述第二通孔形成底部宽度逐渐增大的阶梯孔。

3.根据权利要求1所述的形成多层台阶结构的工艺路线，其特征在于，所述介电质的材料为氮化硅或氧化硅或high K。

4.根据权利要求1所述的形成多层台阶结构的工艺路线，其特征在于，所述金属上极板和所述金属下极板包含粘合层。

5.根据权利要求1所述的形成多层台阶结构的工艺路线，其特征在于，所述第一通孔的数量为两个。

6.根据权利要求5所述的形成多层台阶结构的工艺路线，其特征在于，所述第二通孔位于一所述第一通孔中。