[发明专利]一种提高图形线宽量测精度对准的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种微电子的技术领域，尤其涉及一种能够提高图形线宽量测精度对准的方法。

背景技术

半导体芯片制造中，使用光刻机（scanner）曝光定义电路图形，线宽尺寸（CD）越来越小，扫描式电子显微镜（SEM）是量测特征尺寸线宽的主要设备。其成像原理是电子束照射在被量测物体上，在不同形貌区域产生不同数量的二次电子。收集二次电子信号并转化成特征尺寸线宽的图像。当电子束照射在光刻胶上时，会对光刻胶造成电子照射损伤，导致光刻胶图形变形，影响特征尺寸线宽的量测结果。为了减少对光刻胶的电子照射损伤，生产中需要建立量测程序完成自动量测，其中量测程序的第一个步骤就要进行精确对准。

随着半导体芯片的集成度不断提高，晶体管的特征尺寸不断缩小到纳米级，生产工艺也越来越复杂。在生产中各种元器件的三维结构被分解为几十层二维的光刻图形。为了达到良好的器件性能，各个光刻图形要有精准的特征尺寸线宽，目前生产中使用日立（Hitachi）扫描电子显微镜（SEM）进行量测，在建立量测的程序中，第一步需要进行晶圆的对准，它的目的是先找到曝光范围（field）的相对容易识别的图形目标作为基准位置，目前找基准位置主要有两种，一种是在field里面找到一个图形，这种方法缺点是如果量测图形在基准的左边，那么在量测的时候，量测图形被认为是左边的field，如图1所示的一种对准基准在field里的方法，1为量测图形，2为基准。

第二种是在field交界处十字形图形，这种方法缺点是图形由大块的光阻区和非光阻区组成，在对准时容易失焦，导致对准发生错误，如图2所示的一种对准基准在field交界处的十字图形的方法，3为光阻区，4为非光阻区。

发明内容

本发明的目的在于提供一种提高图形线宽量测精度对准的方法，以解决现有找基准位置方法中如果量测图形在基准的左边，那么在量测时量测图形被认为是左边的field，以及对准时容易失焦，导致对准发生错误的问题。

为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：

一种提高图形线宽量测精度对准的方法，其中：

S1：在掩模板上设置具有数字或字母和接触孔的图形结构；

S2：对所述掩模板进行曝光晶圆，在交界处形成对准图形；

S3：建立自动量测程序，对所述对准图形进行精度对准；

S4：自动量测晶圆所需的结构图形。

上述的一种提高图形线宽量测精度对准的方法，其中，所述对准图形为在横竖接触孔中具有数字的图形。

上述的一种提高图形线宽量测精度对准的方法，其中，所述对准图形为在横竖接触孔中具有字母的图形。

上述的一种提高图形线宽量测精度对准的方法，其中，所述对准图通过交界形成四个部分。

上述的一种提高图形线宽量测精度对准的方法，其中，用于0.25微米技术节点以下。

本发明由于采用了上述技术，使之具有的积极效果是：

本发明提出在field交界处曝光带有数字或字母图形结构的设计方案，该图形结构用于在线宽量测第一步的精度对准，同时可方便的识别field 的上下左右顺序，并适用于0.25微米技术节点以下线条光刻生产工艺。本发明分割开的光阻区和非光阻区的小线条图形，更容易对焦，而且数字或字母代码更容易识别上下左右field的位置。

附图说明

图1是一种对准基准在field里的方法。

图2是一种对准基准在field交界处的十字图形的方法。

图3是本发明的一种提高图形线宽量测精度对准的方法中曝光排列的示意图。

图4是本发明的一种提高图形线宽量测精度对准的方法中接触孔对准图形结构的一种示意图。

图5是本发明的一种提高图形线宽量测精度对准的方法中接触孔对准图形结构的另一种示意图。

具体实施方式

以下结合附图给出本发明一种提高图形线宽量测精度对准的方法的具体实施方式。