[发明专利]发光二极管封装结构无效
申请号: | 201210137338.2 | 申请日: | 2012-05-04 |
公开(公告)号: | CN103311234A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 余宗翰;陈志明 | 申请(专利权)人: | 隆达电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/54 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆嘉 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 | ||
技术领域
本发明关于一种封装结构,特别关于一种发光二极管封装结构。
背景技术
在以往的发光二极管封装结构中,发光二极管芯片与线路层通常设置在高度相等的介电层上,但由于发光二极管芯片在发光的同时必然会产生热能,又由于介电层的散热能力不足,往往会造成发光二极管芯片过热的问题。因此,相关厂商遂发展出一种板上芯片封装(Chip on Board,以下简称COB)的技术。
所谓COB的发光二极管封装结构是指将发光二极管芯片下方的介电层移除,使得发光二极管芯片直接黏着在导热基板上以降低热阻,从而帮助解决发光二极管芯片过热的问题。
然而,当发光二极管芯片下方的介电层被移除后,会使得线路层下方的介电层暴露出来,而受到发光二极管芯片的光线照射。在长期的使用下,被暴露的介电层所接收到的光照与其所产生的辐射热会使其加速老化。此外,由于一般的介电层采用白色材料,以反射光线而增加发光二极管封装结构的整体出光率,若介电层老化则会使颜色逐渐转黄变深,导致出光率下降,因而缩短发光二极管封装结构的寿命。
发明内容
有鉴于此,本发明的一目的在于提供一种发光二极管封装结构,其可在COB发光二极管封装结构下避免暴露于发光二极管芯片旁的介电层老化,以增加发光二极管封装结构的寿命。
为了达到上述目的,依据本发明的一实施方式,一种发光二极管封装结构包含一基板、至少一发光二极管、至少一打线结构以及至少一保护结构。基板具有一固晶区域及一打线区域,打线区域环绕固晶区域。发光二极管设置于固晶区域。打线结构设置于打线区域,且打线结构包含一侧壁,此侧壁立于打线区域及固晶区域之间。保护结构覆盖打线结构的部分表面及侧壁。
借由以上技术手段,本发明的上述实施方式可利用一保护结构来覆盖打线结构的部分表面及侧壁,故即使打线结构中的介电层裸露于表面及/或侧壁,保护结构仍可覆盖住介电层,以避免其受到发光二极管的光照,从而防止介电层老化。
以上所述仅是用以阐述本发明所欲解决的问题、解决问题的技术手段、及其产生的功效等等,本发明的具体细节将在下文的实施方式及相关附图中详细介绍。
附图说明
为让本发明之上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,所附附图的说明如下:
图1绘示依据本发明一实施方式的发光二极管封装结构的剖面图。
图2绘示图1的打线结构与保护结构的剖面图。
图3绘示依据本发明另一实施方式的打线结构与保护结构的剖面图。
图4绘示依据本发明又一实施方式的打线结构与保护结构的剖面图。
图5绘示依据本发明再一实施方式的打线结构与保护结构的剖面图。
图6绘示依据本发明一实施方式的基板的剖面图。
图7绘示依据本发明另一实施方式的发光二极管封装结构的剖面图。
【主要组件符号说明】
100:基板
102:导热层
104:反射层
106:保护层
110:固晶区域
120:打线区域
200:发光二极管
300:打线结构
302:侧壁
310:绝缘层
320:第一介电层
322:上表面
322a:第一上表面
322b:第二上表面
322c:第三上表面
330:线路层
332:上表面
332a:第一上表面
332b:第二上表面
332c:第三上表面
340:第二介电层
400:保护结构
500:导线
600:封装结构
具体实施方式
以下将以附图揭露本发明的多个实施方式,为明确说明起见,许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而,熟悉本领域的技术人员应当了解到,在本发明部分实施方式中,这些实务上的细节并非必要的,因此不应用以限制本发明。此外,为简化附图起见,一些已知惯用的结构与组件在附图中将以简单示意的方式绘示之。
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