[发明专利]薄膜晶体管和薄膜晶体管阵列面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

基板；

栅电极，设置在所述基板上；

半导体层，设置在所述基板上，所述半导体层具有沟道区；

源电极和漏电极，关于所述半导体层的所述沟道区彼此间隔开；

绝缘层，设置在所述栅电极与所述半导体层之间；和

阻挡层，设置在所述半导体层与所述源电极之间以及所述半导体层与所述漏电极之间，

其中所述阻挡层包括石墨烯。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括：

盖层，设置在所述源电极和所述漏电极上。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中所述盖层包括石墨烯。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中所述阻挡层接触所述源电极和所述漏电极。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，还包括设置在所述盖层上的钝化层。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中所述钝化层接触所述半导体层的相应于所述沟道区的上表面。

7.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中所述半导体层包括氧化物半导体。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中所述半导体层包括锌、铟、锡、镓和铪中至少之一。

9.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中所述半导体层包括非晶硅。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，还包括设置在所述半导体层与所述阻挡层之间的欧姆接触层。

11.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中：

所述源电极和所述漏电极包括：

下层，包括铜、锰和钛中至少之一；和

上层，设置在所述下层上，所述上层包括铜。

12.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：

基板；

设置在所述基板上的栅线和栅电极，所述栅线和所述栅电极彼此连接；

栅绝缘层，设置在所述栅线和所述栅电极上；

半导体层，设置在所述栅绝缘层上；

设置在所述半导体层上的数据线和连接到所述数据线的源电极；

漏电极，与所述源电极间隔开；

钝化层，设置在所述数据线、所述源电极和所述漏电极上并具有接触孔；

像素电极，设置在所述钝化层上并通过所述接触孔连接到所述漏电极；和

阻挡层，设置在所述半导体层与所述源电极之间以及所述半导体层与所述漏电极之间，

其中所述阻挡层包括石墨烯。

13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括：

盖层，设置在所述源电极与所述钝化层之间以及所述漏电极与所述钝化层之间。

14.根据权利要求13所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述盖层包括石墨烯。

15.根据权利要求14所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述阻挡层接触所述源电极和所述漏电极。

16.根据权利要求15所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述钝化层接触所述半导体层的上表面，所述半导体层具有沟道区。

17.根据权利要求14所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述半导体层包括氧化物半导体。

18.根据权利要求17所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述半导体层包括锌、铟、锡、镓和铪中至少之一。

19.根据权利要求14所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述半导体层包括非晶硅。

20.根据权利要求19所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括设置在所述半导体层与所述阻挡层之间的欧姆接触层。

21.根据权利要求12所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：

所述源电极和所述漏电极包括：

下层，包括铜、锰和钛中至少之一；和

上层，设置在所述下层上，所述上层包括铜。