[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种晶体管的制造方法，包括如下步骤：

形成非晶氧化物半导体层；

在所述非晶氧化物半导体层上以与其接触的方式形成栅极绝缘层；

对所述非晶氧化物半导体层注入氧，以使所述非晶氧化物半导体层包括具有超过化学计量的氧的区域；

在所述栅极绝缘层上形成栅电极；以及

在所述栅电极上形成绝缘层，该绝缘层包括氧化铝。

2.根据权利要求1所述的晶体管的制造方法，其中在形成所述栅极绝缘层之前进行所述氧注入。

3.根据权利要求1所述的晶体管的制造方法，其中所述栅极绝缘层包括具有超过化学计量的氧的区域。

4.根据权利要求1所述的晶体管的制造方法，还包括形成所述栅极绝缘层之前的所述非晶氧化物半导体层的第一热处理，以在所述非晶氧化物半导体层中形成结晶区域，其中通过所述氧注入将所述结晶区域转换为非晶结构。

5.根据权利要求4所述的晶体管的制造方法，还包括形成所述绝缘层之后的所述非晶氧化物半导体层的第二热处理，其中以维持所述非晶氧化物半导体层的所述非晶结构的方式进行所述第二热处理。

6.根据权利要求1所述的晶体管的制造方法，

其中所述绝缘层包括第一层及所述第一层上的第二层，

所述第二层包括氧化铝，

并且所述第一层包括除了氧化铝之外的金属氧化物。

7.根据权利要求6所述的晶体管的制造方法，其中所述第一层包括具有超过化学计量的氧的区域。

8.一种晶体管的制造方法，包括如下步骤：

形成氧化物半导体层，该氧化物半导体层具有结晶区域；

在所述氧化物半导体层上以与其接触的方式形成栅极绝缘层；

对所述氧化物半导体层注入氧，以将所述结晶区域转换为包括具有超过化学计量的氧的区域的非晶结构；

在所述栅极绝缘层上形成栅电极；以及

在所述栅电极上形成绝缘层，该绝缘层包括氧化铝。

9.根据权利要求8所述的晶体管的制造方法，其中在形成所述栅极绝缘层之前进行所述氧注入。

10.根据权利要求8所述的晶体管的制造方法，其中所述栅极绝缘层包括具有超过化学计量的氧的区域。

11.根据权利要求8所述的晶体管的制造方法，还包括形成所述绝缘层之后的所述氧化物半导体层的热处理，其中以维持所述氧化物半导体层的非晶结构的方式进行所述热处理。

12.根据权利要求8所述的晶体管的制造方法，

其中所述绝缘层包括第一层及所述第一层上的第二层，

所述第二层包括氧化铝，

并且所述第一层包括除了氧化铝之外的金属氧化物。

13.根据权利要求12所述的晶体管的制造方法，其中所述第一层包括具有超过化学计量的氧的区域。

14.一种晶体管的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成栅电极；

在所述栅电极上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成非晶氧化物半导体层；

对所述非晶氧化物半导体层注入氧，以使所述非晶氧化物半导体层包括具有超过化学计量的氧的区域；以及

在所述非晶氧化物半导体层上形成绝缘层，该绝缘层包括氧化铝。

15.根据权利要求14所述的晶体管的制造方法，其中在形成所述绝缘层之后进行所述氧注入。

16.根据权利要求14所述的晶体管的制造方法，其中所述栅极绝缘层包括具有超过化学计量的氧的区域。

17.根据权利要求14所述的晶体管的制造方法，还包括形成所述栅极绝缘层之前的所述非晶氧化物半导体层的第一热处理，以在所述非晶氧化物半导体层中形成结晶区域，其中通过所述氧注入将所述结晶区域转换为所述非晶结构。

18.根据权利要求17所述的晶体管的制造方法，还包括形成所述绝缘层之后的所述非晶氧化物半导体层的第二热处理，其中以维持所述非晶氧化物半导体层的所述非晶结构的方式进行所述第二热处理。