[发明专利]灵敏放大器电路

说明书

技术领域

本发明涉及电子电路领域，尤其涉及一种灵敏放大器电路。

背景技术

图1为现有技术中灵敏放大器电路的结构示意图。图1所示是区分flash存储器中存储单元和参考单元哪个是已编程单元(programmed cell)的电路，其中该电路采用如下手段来实现：

现有的灵敏放大器电路是采用钳位电路，在存储单元和参考单元漏端产生近似的电压，由于存储单元和参考单元本身的特性差异，使得在同样的漏端电压的条件下，两个单元可以产生不同的电流。通过比较两路电流就能区分出存储单元和参考单元中谁是programmed cell，谁是已擦除单元(erased cell)。

这种方法要求存储单元和参考单元的漏端电压尽可能接近，这样才能更准确地反映出存储单元和参考单元本身的差异。但实际上，两个漏端电压很难完全相等，使得到的电流受到不同漏端电压的影响，影响对存储单元和参考单元特性判断结果的准确性。

发明内容

本发明提供一种灵敏放大器，要解决的技术问题如何准确判断存储单元和参考单元谁是programmed cell，谁是erased cell。

为了解决上述问题，本发明提供了如下技术方案：

一种灵敏放大器电路，包括一并联电路和一比较放大电路，其中：

所述并联电路包括第一支路和第二支路，其中：

所述第一支路，包括：

第一使能电路，与高电平相连，用于控制所述第一支路是否为通路；

第一电流控制电路，与所述第一使能电路相连，用于控制所述第一支路的电流的大小；

第一开关电路，与所述第一电流控制电路和参考单元的漏极相连，用于控制所述第一开关电路与所述参考单元的连接状态；

所述参考单元，浮栅极接读电压WL，源极接地；

所述第二支路，包括：

第二使能电路，与所述高电平相连，用于控制所述第二支路是否为通路；

第二电流控制电路，与所述第二使能电路相连，用于控制所述第二支路的电流的大小；

第二开关电路，与所述第一电流控制电路和存储单元的漏极相连，用于控制所述第一开关电路与所述参考单元的连接状态；

所述存储单元，浮栅极接读电压WL，源极接地；

其中所述第一电流控制电路控制的电流的大小与所述第二电流控制电路控制的电流的大小相等；

所述比较放大电路，与所述第一开关电路的输入端和所述第二开关的输入端相连，用于对所述比较器与所述第一开关电路的连接点处的电压和所述比较器与所述第二开关电路的连接点的电压进行比较，其中电压大的连接点所对应的单元为已编程单元，电压低的连接点所对应的单元为已擦除单元。

优选的，所述灵敏放大器电路还具有如下特点：

所述第一使能电路为PMOS管，源极接高电平，栅极使能，漏极与第一电流控制电路相连；所述第二使能电路为PMOS管，源极接高电平，栅极使能，漏极与第二电流控制电路相连。

优选的，所述灵敏放大器电路还具有如下特点：

所述第一电流控制电路为PMOS管，源极与所述第一使能电路相连，栅极与一稳定电压相连，漏极与所述第一开关电路相连；所述第二电流控制电路为PMOS管，源极与所述第二使能电路相连，栅极与一稳定电压相连，漏极与所述第二开关电路相连。

优选的，所述灵敏放大器电路还具有如下特点：

所述第一开关电路和所述第二开关电路均为译码器decoder管。

与现有技术相比，本发明通过控制两条支路上电流相同，从而根据参考单元和存储单元各自阻值的差异，得到两个不同的电压，进而根据电压区分programmed cell和erased cell，克服了现有技术中采用两者的电流进行比较时，由于两个cell漏端的电压不一致所造成的误判的问题，提高了判断结果的准确性。

附图说明

图1为现有技术中灵敏放大器电路的结构示意图；

图2为本发明提供的灵敏放大器电路的实施例的结构示意图；

图3为本发明提供的灵敏放大器的应用实例的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合附图及实施例对本发明的技术方案进行更详细的说明。

图2为本发明提供的灵敏放大器电路的实施例的结构示意图。图2所示电路包括一并联电路和一比较放大电路，其中：

所述并联电路包括第一支路和第二支路，其中：

所述第一支路，包括：

第一使能电路，与高电平相连，用于控制所述第一支路是否为通路；