[发明专利]一种栅极补偿隔离区刻蚀方法无效
| 申请号： | 201210138191.9 | 申请日： | 2012-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102637588A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 杨渝书;李程;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 补偿 隔离 刻蚀 方法 | ||
1.一种栅极补偿隔离区刻蚀方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构、覆盖所述栅极结构和所述半导体衬底的氧化层；
进行第一刻蚀过程，所述第一刻蚀过程刻蚀所述氧化层，直到光学发生干涉仪确定刻蚀终点，即被刻蚀的所述氧化层达到预定厚度；
进行第二刻蚀过程，所述第二刻蚀过程去除所述栅极结构顶部和半导体衬底上空旷区的氧化层，保留所述栅极结构侧壁的氧化层，形成栅极补偿隔离区。
2.如权利要求1所述的栅极补偿隔离区刻蚀方法，其特征在于：
所述光学发生干涉仪的光源为波长30nm至100nm的极低紫外光。
3.如权利要求1所述的栅极补偿隔离区刻蚀方法，其特征在于：
所述氧化层的预定厚度为40埃至50埃。
4.如权利要求1所述的栅极补偿隔离区刻蚀方法，其特征在于：
所述氧化层材质为氧化硅或氮氧化硅。
5.如权利要求1所述的栅极补偿隔离区刻蚀方法，其特征在于：
所述第一刻蚀过程为各向异性刻蚀，主导刻蚀方向为垂直于所述半导体衬底方向。
6.如权利要求1所述的栅极补偿隔离区刻蚀方法，其特征在于：
所述第二刻蚀过程为各向同性刻蚀，刻蚀方向为垂直于所述半导体衬底方向。
7.如权利要求1所述的栅极补偿隔离区刻蚀方法，其特征在于：
所述第一刻蚀过程的参数包括：腔体压力为10mtorr至30mtorr，RF功率为400W至700W，刻蚀气体流量为10sccm至20sccm。
8.如权利要求7所述的栅极补偿隔离区刻蚀方法，其特征在于：
所述第一刻蚀过程的刻蚀气体包括CHF3、CH2F2、CH3F、C4F8和C5F8中的一种或多种的组合。
9.如权利要求8所述的栅极补偿隔离区刻蚀方法，其特征在于：
所述第一刻蚀过程的刻蚀气体还包括惰性气体。
10.如权利要求1所述的栅极补偿隔离区刻蚀方法，其特征在于：
所述第二刻蚀过程采用定时控制。
11.如权利要求1所述的栅极补偿隔离区刻蚀方法，其特征在于：
所述第二刻蚀过程的参数包括：腔体压力为10mtorr至30mtorr，RF功率为200W至400W，刻蚀气体流量为12sccm至24sccm。
12.如权利要求11所述的栅极补偿隔离区刻蚀方法，其特征在于：
所述第二刻蚀过程的刻蚀气体包括CHF3、CH2F2、CH3F、C4F8和C5F8中的一种或多种的组合。
13.如权利要求12所述的栅极补偿隔离区刻蚀方法，其特征在于：
所述第二刻蚀过程的刻蚀气体还包括惰性气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
