[发明专利]大尺寸像素电荷快速转移的CMOS图像传感器像素结构无效
| 申请号： | 201210138429.8 | 申请日： | 2012-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN102695008A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 徐江涛;李毅强;孙羽;姚素英;高静;史再峰 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H04N5/3745 | 分类号： | H04N5/3745;H04N5/378;H01L27/146 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 尺寸 像素 电荷 快速 转移 cmos 图像传感器 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种大尺寸像素电荷快速转移的CMOS图像传感器像素结构，由传输管TX、复位管RST、源跟随器SF、选择管SEL以及光电二极管PPD和浮空扩散节点FD组成，其特征是，浮空扩散节点FD为n个，均布在光电二极管PPD周围，每个浮空扩散节点FD都带有自身的复位管RST，n个浮空扩散节点FD之间通过导线相连，然后共同依次连接源跟随器、选择管，每个浮空扩散节点FD分别通过各自的传输管TX连接到光电二极管PPD。
2.如权利要求1所述的大尺寸像素电荷快速转移的CMOS图像传感器像素结构，其特征是，所述浮空扩散节点FD为2个，设置在光电二极管PPD箝位层的两端位置。
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