[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201210138450.8 | 申请日： | 2012-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102760760A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 贞松康史;陈则;中村胜光 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;朱海煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其中包括：
晶体管区域，设有具有栅极电极和发射极电极的绝缘栅型双极性晶体管；
终端区域，配置在所述晶体管区域的周围；以及
抽取区域，其配置在所述晶体管区域与所述终端区域之间，并抽取剩余的载流子，
其特征在于：
在所述抽取区域中在N型漂移层上设有P型层，
所述P型层与所述发射极电极连接，
在所述P型层上隔着绝缘膜设有伪栅极电极，
所述伪栅极电极与所述栅极电极连接，
所述终端区域中的载流子的寿命短于所述晶体管区域及所述抽取区域中的载流子的寿命。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述终端区域中的晶格缺陷的密度高于所述晶体管区域及所述抽取区域中的晶格缺陷的密度。
3.一种半导体装置，其中包括：
晶体管区域，设有具有栅极电极和发射极电极的绝缘栅型双极性晶体管；
终端区域，配置在所述晶体管区域的周围；以及
抽取区域，其配置在所述晶体管区域与所述终端区域之间，并抽取剩余的载流子，
其特征在于：
在所述抽取区域中在N型漂移层上设有P型层，
所述P型层与所述发射极电极连接，
在所述P型层上隔着绝缘膜设有伪栅极电极，
所述伪栅极电极与所述栅极电极连接，
在所述晶体管区域和所述抽取区域中，在所述N型漂移层之下设有第一N型缓冲层，
在所述第一N型缓冲层之下设有P型集电极层，
在所述终端区域中，在所述N型漂移层之下设有第二N型缓冲层，
集电极电极直接与所述P型集电极层和所述第二N型缓冲层连接。
4.一种半导体装置，其中包括：
晶体管区域，设有具有栅极电极和发射极电极的绝缘栅型双极性晶体管；
终端区域，配置在所述晶体管区域的周围；以及
抽取区域，其配置在所述晶体管区域与所述终端区域之间，并抽取剩余的载流子，
其特征在于：
在所述抽取区域中在N型漂移层上设有P型层，
所述P型层与所述发射极电极连接，
在所述P型层上隔着绝缘膜设有伪栅极电极，
所述伪栅极电极与所述栅极电极连接，
在所述晶体管区域和所述抽取区域中，在所述N型漂移层之下设有第一N型缓冲层，
在所述终端区域中，在所述N型漂移层之下设有第二N型缓冲层，
在所述第1及第二N型缓冲层之下设有P型集电极层，
集电极电极与所述P型集电极层连接，
所述第二N型缓冲层的杂质浓度高于所述第一N型缓冲层的杂质浓度。
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