[发明专利]背面接触硅太阳能电池方法及含背面接触的硅太阳能电池

权利要求书

1.一种用于接触硅太阳能电池的方法，包括下列步骤：

提供具有前面及背面的预处理硅基板；

在所述预处理硅基板的所述背面上沉积铝，其中无铝区域保持在所述背面；以及

沉积适于在所述硅基板的所述背面上焊接的无银层，使得适于焊接的所述无银层至少覆盖所述背面上的所述无铝区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在沉积铝之前，在所述预处理硅基板的所述背面上沉积介电层，所述介电层包含以下化合物至少其中之一：氮化硅、氧化硅、碳化硅、非晶硅、氧化铝。

3.根据权利要求1或2所述的方法，在所述预处理硅基板的所述背面上沉积包括下列步骤：

在所述预处理硅基板的所述背面上丝网印刷铝层，其中所述无铝区域保持在所述背面；以及

加热所述铝层以使铝扩散进入所述预处理硅基板。

4.根据权利要求3所述的方法，其中加热所述铝层遍及整个表面进行。

5.根据权利要求3所述的方法，加热所述铝层以逐点方式进行，优选以激光加热进行，以在所述铝层及所述预处理硅基板之间产生点状电连接。

6.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其中适于焊接的所述无银层是沉积遍及被提供有所述铝层的所述预处理硅基板的所述背面的整个表面。

7.根据权利要求1至6任一项所述的方法，其中适于焊接的所述无银层是由镍钒、镍、铜、钛或锌组成。

8.根据权利要求1至7任一项所述的方法，其中适于焊接的所述无银层是利用溅射、化学气相沉积、电浆喷涂、热喷涂或电流沉积以非接触方式沉积。

9.一种具有至少一接触的硅太阳能电池，包含：

预处理硅基板，具有前面及背面；

铝层，位于所述预处理硅基板的所述背面上，所述铝层包含以数组形式设置的无铝区域；以及

适于焊接的无银层，所述适于焊接的无银层至少覆盖所述背面上的所述无铝区域。

10.根据权利要求9所述的硅太阳能电池，其中介电层被提供在所述铝层下方的所述预处理硅基板的所述背面上，所述介电层包含以下化合物至少其中之一：氮化硅、氧化硅、碳化硅、非晶硅、氧化铝。

11.根据权利要求10所述的硅太阳能电池，其中在所述铝层及所述预处理硅基板之间提供点状电连接，优选的是铝接触点。

12.根据权利要求9至11任一项所述的硅太阳能电池，所述铝层包含10至100μm的厚度，所述适于焊接的无银层具有10至100nm的厚度。

13.根据权利要求9至12任一项所述的硅太阳能电池，所述无铝区域的数组是以行排列。

14.根据权利要求9至13任一项所述的硅太阳能电池，所述无铝区域的数组具有小于1mm的宽度，特别是小于0.5mm。

15.根据权利要求9至14任一项所述的硅太阳能电池，所述适于焊接的无银层是由镍钒、镍、铜、钛或锌组成。

16.一种硅太阳能电池，包括：

预处理硅基板，具有前面、背面以及用于连接其它太阳能电池的接触区域；

至少一第一接触区，用于在所述预处理硅基板的所述背面上形成电连接，所述第一接触区域包含适于在铝层中进行焊接的无银层；以及

至少一第二接触区，用于在所述预处理硅基板的所述背面上形成机械连接，所述第二接触区包含适于在所述硅基板的无铝区域中进行焊接的无银层。

17.根据权利要求16所述的硅太阳能电池，所述预处理硅基板包含位于所述铝层下方的介电层。

18.根据权利要求16或17所述的硅太阳能电池，其中所述第一接触区的面积比所述第二接触区的面积大至少十倍。

19.一种硅太阳能模块，至少包含根据权利要求9至18任一项所述的第一硅太阳能电池及第二硅太阳能电池，所述硅太阳能电池被串联连接，其中所述第一硅太阳能电池的前面接触由至少一接触连接器连接至所述第二硅太阳能电池的背面接触，所述接触连接器分别被焊接至所述适于在所述硅太阳能电池的本体的所述背面表面上的至少一无铝区域的区域中进行焊接的所述无银层。