[发明专利]用来对锗-锑-碲合金进行抛光的化学机械抛光组合物和方法

权利要求书

1.一种用来对基片进行化学机械抛光的方法，该方法包括：

提供基片，所述基片包含锗-锑-碲相变合金；

提供化学机械抛光组合物，所述化学机械抛光组合物主要由以下作为初始组分的物质组成：

水；

0.1-5重量％的磨料；

0.001-5重量％的选自乙二胺四乙酸及其盐的材料；

0.001-3重量％的氧化剂，所述氧化剂是过氧化氢；

其中，所述化学机械抛光组合物的pH值为7.1-12；

提供化学机械抛光垫；

在化学机械抛光垫和基片之间的界面处形成动态接触；

在所述化学机械抛光垫和基片之间的界面处或界面附近，将所述化学机械抛光组合物分配到所述化学机械抛光垫上；

将至少一部分所述锗-锑-碲相变合金从所述基片除去。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基片还包含Si₃N₄；所述磨料是平均粒度为110-130纳米的胶态二氧化硅磨料；将至少一部分所述Si₃N₄从基片除去；所述化学机械抛光组合物显示出锗-锑-碲相变合金/Si₃N₄去除速率选择性≥10∶1。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基片还包含原硅酸四乙酯，即TEOS；所述磨料是平均粒度为110-130纳米的胶态二氧化硅磨料；所述化学机械抛光组合物显示出锗-锑-碲相变合金/TEOS去除速率选择性≥10∶1。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磨料是平均粒度为110-130纳米的胶态二氧化硅磨料，在200毫米的抛光机上在以下条件下，所述化学机械抛光组合物显示出锗-锑-碲相变合金去除台板转速60转/分钟，支架转速55转/分钟，化学机械抛光组合物的流速200毫升/分钟，标称向下压力为8.27千帕，即1.2磅/平方英寸，所述化学机械抛光垫包括含有聚合物空心微粒的聚氨酯抛光层以及聚氨酯浸渍的无纺织物子垫。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基片还包含Si₃N₄；将至少一部分所述Si₃N₄从所述基片除去；所述化学机械抛光组合物显示出锗-锑-碲相变合金/Si₃N₄去除速率选择性≥15∶1。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基片还包含原硅酸四乙酯，即TEOS；将至少一部分所述TEOS从所述基片除去；所述化学机械抛光组合物显示出锗-锑-碲相变合金/TEOS去除速率选择性≥15∶1。

7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述化学机械抛光组合物促进获得锗-锑-碲相变合金去除并且抛光后的SP1缺陷计数(＞0.16微米)≤300。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，小于或等于200个的所述抛光后SP1缺陷是碲残留缺陷。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述基片还包含Si₃N₄；将至少一部分所述Si₃N₄从所述基片除去；所述化学机械抛光组合物显示出锗-锑-碲相变合金/Si₃N₄去除速率选择性≥15∶1。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述基片还包含原硅酸四乙酯，即TEOS；将至少一部分所述TEOS从所述基片除去；所述化学机械抛光组合物显示出锗-锑-碲相变合金/TEOS去除速率选择性≥15∶1。