[发明专利]边缘安装的传感器无效

专利信息
申请号: 201210139177.0 申请日: 2012-02-01
公开(公告)号: CN102680735A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: M·福斯特 申请(专利权)人: 霍尼韦尔国际公司
主分类号: G01P15/00 分类号: G01P15/00;G01P15/18
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 原绍辉
地址: 美国新*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 边缘 安装 传感器
【权利要求书】:

1.一种方法,包括:

在硅机械层(25)中建立至少一个传感器装置,该硅机械层结合到第一玻璃层(24);

将第二玻璃层(26)附接到硅机械层以建立晶片;

在第一或第二玻璃层的至少一个中建立至少一个第一通路(30)以暴露硅机械层表面上的预定义区域;

在第一或第二玻璃层的至少一个中建立至少一个第二通路(30),所述至少一个第二通路的深度尺寸小于所述至少一个第一通路的深度尺寸;

在硅机械层上的暴露区域和所述至少一个第二通路的至少一部分之间施加金属径迹(70、72);

将所述晶片切分从而所述至少一个第二通路被分成两段,由此建立第一传感器裸芯;并且

将所切分的传感器裸芯中的第一个在被切分的第二通路的壁的其余部分的一部分处电地且机械地结合到电路板。

2.如权利要求1的方法,其中传感器装置被气密地密封在第一或第二玻璃层之间。

3.如权利要求2的方法,其中所述至少一个传感器装置包括加速度计。

4.如权利要求3的方法,还包括将一个或多个其它传感器裸芯附接到所述电路板,使得所述一个或多个其它传感器裸芯的感测轴线垂直于第一传感器裸芯的感测轴线。

5.一种传感器裸芯组件(20),包括:

硅机械层(25),其结合到第一玻璃层(24),该机械层包括传感器装置;

第二玻璃层(26),其附接到所述硅机械层;

在第一或第二玻璃层的至少一个中的至少一个第一通路(30),其被构造成暴露所述硅机械层表面上的预定义区域;

在第一或第二玻璃层的至少一个中的至少一个第二通路(30),所述至少一个第二通路的深度尺寸小于所述至少一个第一通路的深度尺寸;以及

金属径迹(70、72),其位于所述硅机械层上的暴露区域和所述至少一个第二通路的至少一部分之间。

6.如权利要求5的组件,其中所述传感器装置被气密地密封在第一或第二玻璃层之间。

7.如权利要求6的组件,其中所述至少一个传感器装置包括加速度计。

8.一种加速度计组件,包括:

第一传感器裸芯(90),包括:

硅机械层(92),其结合到第一玻璃层(94),所述机械层包括传感器装置;

第二玻璃层(96),其附接到所述硅机械层;

在第一或第二玻璃层的至少一个中的至少一个第一通路(100),

其被构造成暴露硅机械层表面上的预定义区域;

在第一或第二玻璃层的至少一个中的至少一个第二通路,所述至少一个第二通路(102)的深度尺寸小于所述至少一个第一通路的深度尺寸;

金属径迹(104),其位于硅机械层上的暴露区域和所述至少一个第二通路的至少一部分之间;

电路板(22);

第二和第三传感器裸芯,其由用于建立第一传感器裸芯的晶片形成,其中第二和第三传感器裸芯的每一个都包括传感器装置;和

多个金属焊珠,其构造成机械地且电地将第一、第二和第三裸芯结合到电路板,使得每一个传感器装置的感测轴线都垂直。

9.如权利要求8的组件,其中传感器装置被气密地密封在第一或第二玻璃层之间。

10.如权利要求9的组件,其中传感器装置包括加速度计。

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