[发明专利]异质结太阳能电池结构及其制作方法

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池结构,包括硅片基材，在硅片基材的受光面具有用于形成异质结的非晶硅层，在所述的非晶硅层上具有透明导电膜，透明导电膜上制作栅线，其特征是：所述的透明导电膜为TCO/Ag/TCO透明导电膜，在所述的硅片基材的背光面依次设置二氧化硅层、氮化硅层和铝层，铝层为最外层。

2.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池结构,其特征是：所述的硅片基材为P型，在P型硅片基材上的非晶硅层包括本征非晶硅层和本征非晶硅层上的n+非晶硅层。

3.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池结构,其特征是：所述的TCO/Ag/TCO透明导电膜包括底层的TCO层，中层的Ag层以及面层的TCO层，底层的TCO层10~20nm厚，中层的Ag层10~15nm，面层的TCO层80~100nm厚。

4.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池结构,其特征是：所述的TCO层为ITO薄膜。

5.一种异质结太阳能电池结构的制作方法，其特征是：在硅片基材的受光面沉积用于形成异质结的非晶硅层后，通过磁控溅射的方法依次沉积底层的TCO层，中层的Ag层以及面层的TCO层，形成TCO/Ag/TCO透明导电膜，在沉积形成TCO/Ag/TCO透明导电膜后，进行退火处理。

6.权利要求5所述的异质结太阳能电池结构的制作方法，其特征是：具体为：

在P型硅片基材背面采用热氧化制备一层厚度为10～30nm二氧化硅层，然后采用PECVD沉积一层厚度为80～150nm的氮化硅层，然后蒸镀一层厚度为2～4nm的铝层，随后采用激光烧结在硅片基材背面打孔，然后在300℃～400℃纯氮气下退火；翻转硅片，在硅片的正面沉积本征非晶硅层,然后再沉积n+非晶硅层,之后采用磁控溅射依次沉积10-20nm厚的TCO，10-15nm厚的Ag层，80-100nm厚的TCO，形成TCO/Ag/TCO透明导电膜，在沉积形成TCO/Ag/TCO透明导电膜后，进行退火处理，最后采用丝网印刷工艺印刷栅线。

7.权利要求5或6所述的异质结太阳能电池结构的制作方法，其特征是：在沉积形成TCO/Ag/TCO透明导电膜后，进行退火处理的方法为：在320℃～450℃温度范围内，并在含氢气为2%～5%的氮气和氢气混合气氛下进行退火处理，处理时间10～30分钟。

8.权利要求5所述的异质结太阳能电池结构的制作方法，其特征是：所述的TCO为ITO薄膜。