[发明专利]单芯片倒装先封装后蚀刻基岛露出封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种单芯片倒装先封装后蚀刻基岛露出封装结构，其特征在于：它包括基岛（1）、引脚（2）和芯片（3），所述芯片（3）倒装于基岛（1）和引脚（2）正面，所述芯片（3）底部与基岛（1）和引脚（2）正面之间设置有底部填充胶（14），所述基岛（1）外围的区域、基岛（1）和引脚（2）之间的区域、引脚（2）与引脚（2）之间的区域、基岛（1）和引脚（2）上部的区域、基岛（1）和引脚（2）下部的区域以及芯片（3）外均包封有塑封料（4），所述基岛（1）和引脚（2）下部的塑封料（4）表面上开设有小孔（5），所述小孔（5）与基岛（1）或引脚（2）背面相连通，所述小孔（5）内设置有金属球（7），所述金属球（7）与基岛（1）或引脚（2）背面相接触。

2.一种如权利要求1所述的单芯片倒装先封装后蚀刻基岛露出封装结构的制造方法，其特征在于所述方法包括以下工艺步骤：

步骤一、取金属基板

步骤二、金属基板表面预镀铜材

在金属基板表面电镀一层铜材薄膜，

步骤三、贴光阻膜作业

利用贴光阻膜设备在完成预镀铜材薄膜的金属基板正面及背面进行光阻膜的被覆， 

步骤四、金属基板正面去除部分光阻膜

利用曝光显影设备在步骤三完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的图形区域，

步骤五、电镀惰性金属线路层

将金属基板正面已完成开窗的图形区域电镀上惰性金属线路层， 

步骤六、电镀金属线路层

在步骤五中的惰性金属线路层表面镀上金属线路层，所述金属线路层电镀完成后即在金属基板正面相对形成基岛上部和引脚上部， 

步骤七、去除金属基板表面光阻膜

将金属基板表面的光阻膜去除， 

步骤八、装片及芯片底部填充

在步骤六相对形成的基岛上部和引脚上部正面倒装上芯片及芯片底部填充环氧树脂， 

步骤九、包封

将完成芯片倒装及芯片底部填充后的金属基板正面进行包封塑封料作业， 

步骤十、贴光阻膜作业

利用贴光阻膜设备在完成包封塑封料的金属基板正面及背面进行光阻膜的被覆，

步骤十一、金属基板背面去除部分光阻膜

利用曝光显影设备在步骤十完成贴膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板背面后续需要进行化学蚀刻的图形区域，

步骤十二、化学蚀刻

将步骤十一中金属基板背面完成开窗的图形区域进行化学蚀刻，

步骤十三、电镀金属线路层

在步骤十二完成化学蚀刻后露出的惰性金属线路层表面进行金属线路层的电镀，金属线路层电镀完成后即在金属基板背面相对形成基岛下部和引脚下部， 

步骤十四、去除金属基板表面光阻膜

将金属基板表面的光阻膜去除，

步骤十五、包封

将步骤十四去除光阻膜后的金属基板背面进行塑封料的包封作业，

步骤十六、塑封料表面开孔

在步骤十五金属基板背面包封塑封料的表面进行后续要植金属球区域的开孔作业，

步骤十七、清洗

对步骤十六金属基板背面塑封料开孔处进行清洗，

步骤十八、植球

在步骤十七经过清洗的小孔内植入金属球， 

步骤十九、切割成品

将步骤十八完成植球的半成品进行切割作业，使原本以阵列式集合体方式集成在一起并含有芯片的塑封体模块一颗颗切割独立开来，制得单芯片倒装先封装后蚀刻基岛露出封装结构成品。

3.根据权利要求2所述的一种单芯片倒装先封装后蚀刻基岛露出封装结构的制造方法，其特征在于：所述引脚（2）与引脚（2）之间跨接无源器件（8），所述无源器件（8）跨接于引脚（2）正面与引脚（2）正面之间或跨接于引脚（2）背面与引脚（2）背面之间。

4.根据权利要求2或3所述的一种单芯片倒装先封装后蚀刻基岛露出封装结构的制造方法，其特征在于：所述引脚（2）有多圈。

5.根据权利要求2所述的一种单芯片倒装先封装后蚀刻基岛露出封装结构的制造方法，其特征在于：所述步骤七对金属基板背面塑封料开孔处进行清洗同时进行金属保护层被覆。

6.根据权利要求2所述的一种单芯片倒装先封装后蚀刻基岛露出封装结构的制造方法，其特征在于：所述基岛（1）有多个。