[发明专利]多芯片正装先蚀刻后封装无基岛封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种多芯片正装先蚀刻后封装无基岛封装结构，其特征在于它包括引脚（1），所述引脚（1）正面通过导电或不导电粘结物质（2）设置有多个芯片（3），所述多个芯片（3）正面与引脚（1）正面之间用金属线（4）相连接，所述引脚（1）与引脚（1）之间的区域、引脚（1）上部的区域、引脚（1）下部的区域以及芯片（3）和金属线（4）外均包封有塑封料（5），所述引脚（1）背面的塑封料（5）上开设有小孔（6），所述小孔（6）与引脚（1）背面相连通，所述小孔（6）内设置有金属球（8），所述金属球（8）与引脚（1）背面相接触。

2.一种如权利要求1所述的多芯片正装先蚀刻后封装基岛埋入封装结构的制作方法，所述方法包括以下步骤：

步骤一、取金属基板

步骤二、金属基板表面预镀铜

在金属基板表面镀一层铜材薄膜；

步骤三、贴光阻膜作业

在完成预镀铜材薄膜的金属基板的正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜；

步骤四、金属基板背面去除部分光阻膜

利用曝光显影设备将步骤三完成贴光阻膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板背面后续需要进行电镀的区域图形；

步骤五、电镀惰性金属线路层

在步骤四中金属基板背面去除部分光阻膜的区域内电镀上惰性金属线路层；

步骤六、电镀金属线路层

在步骤五中的惰性金属线路层表面镀上多层或是单层金属线路层；

步骤七、去除光阻膜

去除金属基板表面的光阻膜；

步骤八、包封

将步骤七中的金属基板背面采用塑封料进行塑封；

步骤九、塑封料表面开孔

在金属基板背面预包封塑封料的表面进行需要后续植金属球的区域进行开孔；

步骤十、贴光阻膜作业

在完成开孔的金属基板的正面以及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜；

步骤十一、金属基板正面去除部分光阻膜

利用曝光显影设备将步骤十完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面后续需要进行化学蚀刻的区域图形；

步骤十二、化学蚀刻

将步骤十一中完成曝光显影的区域进行化学蚀刻；

步骤十三、电镀金属线路层

在惰性金属线路层表面镀上单层或是多层的金属线路层，金属电镀完成后即在金属基板上形成相应的引脚；

步骤十四、去除光阻膜

去除金属基板表面的光阻膜；

步骤十五、涂覆粘结物质

在步骤十三形成的引脚表面涂覆导电或是不导电的粘结物质；

步骤十六、装片

在步骤十五的引脚上植入芯片；

步骤十七、金属线键合

在芯片正面与引脚正面之间进行键合金属线作业；

步骤十八、包封

将完成装片打线后的金属基板正面进行塑封料包封工序；

步骤十九、清洗

在金属基板背面塑封料开孔处进行氧化物质、油脂物质的清洗；

步骤二十、植球

在金属基板背面塑封体开孔处内植入金属球，使金属球与引脚背面相接触；

步骤二十一、切割成品

将步骤二十完成植球的半成品进行切割作业，使原本以阵列式集合体方式集成在一起并含有芯片的塑封体模块一颗颗切割独立开来，制得多芯片正装先蚀刻后封装无基岛封装结构，可采用常规的钻石刀片以及常规的切割设备即可。

3.根据权利要求2所述的一种多芯片正装先蚀刻后封装无基岛封装结构的制作方法，其特征在于：所述引脚（1）与引脚（1）之间跨接有无源器件（9），所述无源器件（9）跨接于引脚（1）正面与引脚（1）正面之间或跨接于引脚（1）背面与引脚（1）背面之间。

4.根据权利要求2~3其中之一所述的一种多芯片正装先蚀刻后封装无基岛封装结构的制作方法，其特征在于所述引脚（1）有多圈。

5.根据权利要求2所述的一种多芯片正装先蚀刻后封装基岛埋入封装结构的制作方法，其特征在于：所述步骤十七中在芯片（3）正面与芯片（3）正面之间进行键合金属线作业。

6.根据权利要求2所述的一种多芯片正装先蚀刻后封装无基岛封装结构的制作方法，其特征在于：所述步骤十九对金属基板背面塑封料开孔处进行清洗同时进行金属保护层被覆。

7.根据权利要求1所述的一种多芯片正装先蚀刻后封装无基岛封装结构，其特征在于：所述引脚（1）包括引脚上部、引脚下部和中间阻挡层，所述引脚上部和引脚下部均由单层或多层金属电镀而成，所述中间阻挡层为镍层或钛层或铜层。