[发明专利]绝缘体上硅MOS器件动态击穿电压的测试方法

权利要求书

1.一种绝缘体上硅MOS器件动态击穿电压的测试方法，包括先后对所述MOS器件的漏极施加漏极电压Vd₁、Vd₂、Vd₃、......、Vd_max循环进行击穿测试的步骤，其中Vd₁、Vd₂、Vd₃、......、Vd_max逐渐递增，所述击穿测试包括下列步骤：

步骤A，对所述MOS器件的栅极施加电压Vg，量测所述MOS器件的漏极电流；

步骤B，判断当前的漏极电流是否是第一漏极电流前值的a₁倍以上，若是，则将当前施加的所述漏极电压作为动态击穿电压进行记录，结束测试；否则执行步骤C；

步骤C，判断所述当前的漏极电流是否在第二漏极电流前值的1/a₂以下，若是，则将当前施加的所述漏极电压作为烧毁电压进行记录，结束测试；否则执行步骤D；

步骤D，判断Vg是否达到测试值上限，若是，则跳出当前漏极电压下的击穿测试循环，进入下一漏极电压下的击穿测试循环，否则将当前的Vg增大后返回步骤A；

所述第一漏极电流前值是指前一漏极电压下的、且Vg与当前相同时测得的漏极电流，所述第二漏极电流前值是指前一Vg下的漏极电流。

2.根据权利要求1所述的绝缘体上硅MOS器件动态击穿电压的测试方法，其特征在于，所述Vg的初始值为0，所述步骤B仅在Vg=0时执行。

3.根据权利要求1或2所述的绝缘体上硅MOS器件动态击穿电压的测试方法，其特征在于，所述步骤C仅在Vg≥工作电压阈值时执行。

4.根据权利要求1所述的绝缘体上硅MOS器件动态击穿电压的测试方法，其特征在于，所述a₁和a₂均为1000。

5.根据权利要求1所述的绝缘体上硅MOS器件动态击穿电压的测试方法，其特征在于，还包括判断是否同时满足所述漏极电压达到Vd_max、所述Vg达到测试值上限的条件，若同时满足则返回器件失效信息的步骤。

6.根据权利要求1所述的绝缘体上硅MOS器件动态击穿电压的测试方法，其特征在于，所述漏极电压是以0.1伏特的步进递增。

7.根据权利要求1所述的绝缘体上硅MOS器件动态击穿电压的测试方法，其特征在于，所述将当前的Vg增大的步骤是增大0.3伏特。

8.根据权利要求1所述的绝缘体上硅MOS器件动态击穿电压的测试方法，其特征在于，所述MOS器件的源极悬空。

9.根据权利要求1所述的绝缘体上硅MOS器件动态击穿电压的测试方法，其特征在于，所述MOS器件的衬底接零电位。