[发明专利]铸锭单晶生产方法

权利要求书

1.一种铸锭单晶生产方法,其特征是：在铸锭生产过程中通过安装在坩埚侧壁上的耐高温涡流传感器探测硅料熔化时的固液界面，控制铸锭炉由熔化阶段跳步至长晶阶段。

2.根据权利要求1所述的铸锭单晶生产方法,其特征是：包含以下步骤：

1）设备准备：在坩埚侧壁，籽晶面以上安放耐高温涡流传感器，涡流传感器中心与籽晶面的距离为1/2-1/3涡流传感器探测区域高度；

2)把装好铸锭单晶硅硅块料的该坩埚放入铸锭炉中；

3)铸锭炉抽空、加热、熔化，控制硅料熔化中后期为逐层向下化料；

4)持续测量涡流传感器的电阻率，设定当测量到的电阻率到达转跳点报警设定值时，控制铸锭炉由熔化阶段跳步至长晶阶段，转跳点报警设定值在1000Ω·m-9Ω·m；

5)长晶、退火、冷却、出炉，得到铸锭单晶锭。

3.根据权利要求1或2所述的铸锭单晶生产方法,其特征是：所述的涡流传感器包括电感丝和包裹电感丝的外壳，涡流传感器至炉体外涡流感应信号接收处理器之间通过导电丝连接，在炉体内的导电丝与电感丝材质相同，且表面喷镀有高温绝缘层或采用刚玉导管把导电丝隔开引到炉体外。

4.根据权利要求2所述的铸锭单晶生产方法,其特征是：采用的涡流传感器探测区域高度为1-3cm，当籽晶厚度为15-25mm时，转跳点设定值在9-50Ω·m；当使用厚度小于5mm的超薄籽晶时，转跳点设定值在100-1000Ω·m。