[发明专利]控制方法及运用该控制方法的电子装置

说明书

技术领域

本发明是有关于一种控制方法，特别是有关于一种确保存储单元的操作电压已就绪的控制方法。

背景技术

在目前的许多电子装置中，通常具有一存储单元，用以储存数据。当电子装置进入开机模式后，存储单元将根据一操作电压，设定本身的状态。一般而言，操作电压在一段时间后，应可到达一预设位准。

然而，在一段时间后，若操作电压仍未到达预设位准，并且存储单元根据不足的操作电压而动作时，将可能造成本身的设定错误。再者，当电子装置的其它元件存取存储单元时，将产生错误的存取结果。

发明内容

本发明提供一种控制方法，适用于一电子装置，该电子装置具有一存储单元，该存储单元具有一存储阵列。存储阵列具有一特定信息。当该电子装置操作于一开机模式下，并且一操作电压已产生时，输出一使能信号。根据使能信号，读取特定信息，用以产生一读取结果。判断读取结果是否等于一已知信息。当读取结果等于已知信息时，便令该存储单元进入一操作模式。

本发明另提供一种电子装置，包括一存储单元以及一主体单元。存储单元接收一操作电压，并包括一存储阵列、一侦测模块、一存取模块、一比较模块以及一处理模块。存储阵列具有一特定信息以及一设定信息。侦测模块根据操作电压，输出一使能信号。存取模块读取存储阵列所储存的特定信息，用以产生一读取结果。比较模块比较读取结果与一已知信息。处理模块根据使能信号，使能存取模块，用以产生读取结果。当读取结果等于已知信息时，处理模块存取设定信息，用以进入一操作模式。当存储单元进入操作模式下，主体单元存取存储单元。

根据本发明提供的技术方案，能够确保存储单元的操作电压已就绪。

附图说明

图1为本发明的控制方法的一可能实施例。

图2为本发明的控制方法的另一可能实施例。

图3为本发明的电子装置的示意图。

附图标号：

300～电子装置；

310～存储单元；

320～主体单元；

311～存储阵列；

312～侦测模块；

313～存取模块；

314～比较模块；

315～处理模块；

IN_SPE～特定信息；

IN_SET～设定信息；

VCC～操作电压；

V_P1、V_P2～电压；

S_EN～使能信号；

S_KD～已知信息；

S_P1、S_P2～侦测信号；

S110-S150、S210-S280～步骤。

具体实施方式

为让本发明的特征和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：

为了避免存储单元因操作电压不足而造成的本身的设定错误，本发明在存储单元接收到操作电压后，读取存储单元内一特定信息，再将读取后的结果与一已知信息相比较。若比较结果相同，表示操作电压的位准足以让存储单元进行正常的存取动作，因而令存储单元进入一操作模式。在操作模式下，存储单元可进行本身的参数设定。

相反地，若比较结果不同，表示操作电压的位准不足以让存储单元进行正常的存取动作，因此，可再次读取存储单元所储存的特定信息，并将读取后的结果再次与已知信息相比较。

图1为本发明的控制方法的一可能实施例。本发明的控制方法适用于一电子装置。电子装置具有一存储单元。存储单元具有一存储阵列。存储阵列储存一特定信息。本发明并不限定存储单元的种类。只要具有存储功能的元件均可作为存储单元。在一可能实施例中，存储单元为一快闪存储体(Flash memory)。

当电子装置操作于一开机模式下，便可产生一操作电压(步骤S110)。在一可能实施例中，操作电压与电子装置的电池电力有关。当电池电力下降时，操作电压达预设位准的时间也会被拉长。在本实施例中，存储单元可根据操作电压，撷取本身所储存的一设定信息，并根据该设定信息，设定本身的状态。

当操作电压已产生，则输出一使能信号(步骤S120)。此时，操作电压可能未达一预设位准。在一可能实施例中，使能信号是由一电压侦测器所产生。电压侦测器接收操作电压，并在一固定时间后，输出一使能信号。