[发明专利]一种基于片层材料制备碳纳米管和石墨烯复合物的方法有效

专利信息
申请号: 201210141649.6 申请日: 2012-05-09
公开(公告)号: CN102674316A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 魏飞;赵梦强;张强;田桂丽 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: C01B31/02 分类号: C01B31/02;C01B31/04;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 邸更岩
地址: 100084 北京市海淀区北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 材料 制备 纳米 石墨 复合物 方法
【权利要求书】:

1.一种基于片层材料制备碳纳米管和石墨烯复合物的方法,其特征在于该方法按如下步骤进行:

1)将负载有催化剂活性组分的片层材料作为催化剂,所述催化剂的活性组分为Fe、Co、Ni、Cu、Mo或W,其含量占催化剂质量的0.1%~50%;

2)将该催化剂置于反应器中,通过化学气相沉积过程,在催化剂的表面上沉积碳纳米管和石墨烯,然后将所得的产物置于产物纯化装置中进行提纯,得到碳纳米管和石墨烯复合物,碳纳米管和石墨烯复合物中碳纳米管直接生长在石墨烯的表面上。

2.按照权利要求1所述的一种基于片层材料制备碳纳米管和石墨烯复合物的方法,其特征在于:所述的片层材料为层状双羟基复合金属氢氧化物、氧化镁、三氧化二铝、二氧化硅、高岭土、蒙脱土、蛭石、云母或拟薄水铝石。

3.按照权利要求1或2所述的一种基于片层材料制备碳纳米管和石墨烯复合物的方法,其特征在于:步骤2)中所述的化学气相沉积过程中,碳纳米管和石墨烯的沉积为同时进行或先后进行,其中沉积碳纳米管的反应温度为500~1000℃,沉积石墨烯的反应温度为600~1200℃。

4.按照权利要求1或2所述的一种基于片层材料制备碳纳米管和石墨烯复合物的方法,其特征在于:步骤2)中所述的化学气相沉积过程使用七碳以下的低碳气体、甲醇、乙醇、苯、环己烷、正己烷、甲苯、和二甲苯中的一种或者几种的混合物为碳源;使用氩气、氮气、氦气、氢气或它们的混合物作为载气,控制碳源的分压小于总压力的80%。

5.按照权利要求1或2所述的一种基于片层材料制备碳纳米管和石墨烯复合物的方法,其特征在于:步骤2)中所述化学气相沉积过程采用的反应器形式为固定床、移动床、流化床或它们的组合。

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