[发明专利]双面图形化透明导电膜及其制备方法

权利要求书

1.一种双面图形化透明导电膜，包括上表面导电层和下表面导电层，其特征在于，所述双面图形化透明导电膜的上表面导电层是图形化的沟槽网络，所述的下表面导电层是全表面的沟槽网络；所述的上表面导电层的沟槽中均填充有导电材料；所述的下表面导电层沟槽中间断填充导电材料。

2.如权利要求1所述的双面图形化透明导电膜，其特征在于，所述的下表面导电层沟槽中间断填充导电材料是使用图形化技术将下表面沟槽网络中的导电材料间断出现。

3.如权利要求1所述的双面图形化透明导电膜，其特征在于，所述双面图形化透明导电膜的上表面导电层的沟槽网络至少有两种网格密度。

4.如权利要求3所述的双面图形化透明导电膜，其特征在于，所述的网格密度中至少有一种网格的相对透过率大于90%；至少有一种相对透过率小于80%。

5.如权利要求1或4所述的双面图形化透明导电膜，其特征在于：所述双面图形化透明导电膜的下表面导电层沟槽网络的相对透过率大于90%。

6.一种双面图形化透明导电膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1）基于压印技术在中间层上表面制作图形化的沟槽网络；

2）基于压印技术在中间层下表面制作全表面的沟槽网络；

3）分别在中间层的上表面和下表面沟槽中填充导电材料；

4） 根据上表面的对准标记，将下表面填充导电材料的无图案沟槽网络图形化。

7.如权利要求6所述的双面图形化透明导电膜的制备方法，其特征在于：所述压印技术为热压印或紫外压印。

8.如权利要求6所述的双面图形化透明导电膜的制备方法，其特征在于：所述上表面的对准标记是上表面网格密度较大的区域作为下表面导电膜图形化的对准标记；所述的网格密度至少有一种网格的相对透过率大于90%，至少有一种相对透过率小于80%。

9.如权利要求6所述的双面图形化透明导电膜的制备方法，其特征在于：所述的下表面填充导电材料的无图案沟槽网络图形化是在下表面贴附负性干膜，将上表面的对准标记和菲林膜的对准标记对准，用紫外光对负性干膜曝光；然后在显影液中显影，被曝光的区域会在显影过程中保留下来，没有被曝光的区域会被清除，被覆盖的导电材料将裸露出来，将所述双面透明导电膜浸泡在导电材料腐蚀液中，裸露的导电材料将被清除；最后将上述结果再浸泡在去胶液中去胶，负性干膜被去除，导电材料裸露出来。

10.如权利要求6或7所述的双面图形化透明导电膜的制备方法，其特征在于：所述填充导电材料的方法为刮涂或喷墨打印。