[发明专利]一种具有超级结肖特基半导体装置及其制备方法

权利要求书

1.一种具有超级结肖特基半导体装置，其特征在于：包括：

衬底层，为半导体材料构成；

超级结结构，位于衬底层之上，为第一导电半导体材料和第二导电半导体材料交替排列构成；

绝缘材料，位于第一导电半导体材料和第二导电半导体材料交汇处上表面；

肖特基势垒结，位于第一导电半导体材料或第二导电半导体材料表面。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的衬底层为高浓度杂质掺杂的半导体材料。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的衬底层可以为高浓度杂质掺杂的半导体材料层和低浓度杂质掺杂的半导体材料层的叠加层。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的超级结结构可以为半超结结构，即在传统超结结构中的漂移层底部增加一个第一导电半导体材料层或第二导电半导体材料层。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的肖特基势垒结为势垒金属与半导体材料形成的结。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的肖特基势垒结可以为第一导电半导体材料与势垒金属形成的结，同时第二导电半导体材料表面为欧姆接触区。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的肖特基势垒结可以为第二导电半导体材料与势垒金属形成的结，同时第一导电半导体材料表面为欧姆接触区。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的肖特基势垒结可以为第一导电半导体材料和第二导电半导体材料与势垒金属形成的结。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的半导体装置接一定的反向偏压时，第一导电半导体材料与第二导电半导体材料形成电荷补偿，形成超结结构。

10.如权利要求1所述的一种具有超级结肖特基半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)在衬底层表面形成第一导电半导体材料层，然后表面形成一种绝缘介质；

2)进行光刻腐蚀工艺去除表面部分绝缘介质，然后刻蚀去除部分裸露半导体材料形成沟槽；

3)在沟槽内形成第二导电半导体材料，进行表面平整化；

4)在半导体材料表面形成一种绝缘介质，进行光刻腐蚀工艺去表面除部分绝缘介质；

5)淀积势垒金属，进行烧结形成肖特基势垒结。