[发明专利]检测特定缺陷的方法和用于检测特定缺陷的系统和程序有效
申请号: | 201210142371.4 | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN102738029A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 船田毅 | 申请(专利权)人: | 胜高股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘春元;李家麟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 特定 缺陷 方法 用于 系统 程序 | ||
1.一种检测特定缺陷的方法,包括以下步骤:
通过利用光照射晶片的表面来获取光点图,所述光点图是在对应于所述晶片的表面上的缺陷的位置检测到的光点的平面内位置信息;
指定确定区域和参考区域,在所述确定区域中预计将形成特定缺陷,而参考区域是在所述光点图中除所述确定区域以外的给定区域,并计算所述确定区域的光点密度与所述参考区域的光点密度的比;以及
基于计算的比来确定是否形成了所述特定缺陷。
2.根据权利要求1所述的检测特定缺陷的方法,其中确定步骤在所述计算的比等于或高于预定的阈值时确定形成了所述特定缺陷。
3.根据权利要求1或2所述的检测特定缺陷的方法,其中:
在获取步骤中获取具有相同形状的多个晶片的光点图,以及
在计算步骤中,使用通过将所述多个晶片的光点图相互叠加获得的重叠光点图代替使用所述光点图来计算所述比。
4.根据权利要求1或2所述的检测特定缺陷的方法,其中在获取步骤中获取通过将具有相同形状的多个晶片的光点图相互叠加获得的重叠光点图来代替所述光点图,
在计算步骤中,使用所述重叠光点图代替使用所述光点图来计算所述比。
5.根据权利要求1或2所述的检测特定缺陷的方法,其中:
在获取步骤中获取具有相同形状的多个晶片的光点图,以及
在确定多种特定缺陷是否形成之前,所述特定缺陷之前被分类为第一组特定缺陷和第二组特定缺陷,其中使用多个晶片中给定一个的光点图对所述第一组特定缺陷执行计算步骤,并且使用通过将多个晶片的光点图相互叠加获得的重叠光点图对所述第二组特定缺陷执行计算步骤。
6.一种用于检测特定缺陷的系统,包括:
获取单元,其用于通过利用光照射晶片的表面来获取光点图,所述光点图是在对应于所述晶片的表面上的缺陷的位置检测到的光点的平面内位置信息;
存储单元,其用于存储关于确定区域和参考区域的数据,在所述确定区域中预计将形成特定缺陷,而参考区域是在所述光点图中除所述确定区域以外的给定区域;
计算单元,其用于计算所述光点图中的所述确定区域的光点密度与所述参考区域的光点密度的比;以及
确定单元,其用于基于计算的比来确定是否形成了特定缺陷。
7.一种检测特定缺陷的方法,包括以下步骤:
通过利用光照射晶片的表面来将所述晶片的表面上的缺陷作为光点来检测;
创建光点图,所述光点图是检测到的光点的平面内位置信息;
指定确定区域和参考区域,在所述确定区域中预计将形成特定缺陷,而参考区域是在所述光点图中除所述确定区域以外的给定区域,并计算所述确定区域的光点密度与所述参考区域的光点密度的比;以及
基于计算的比来确定是否形成了特定缺陷。
8.根据权利要求7所述的检测特定缺陷的方法,进一步包括创建通过将具有相同形状的多个晶片的光点图相互叠加获得的重叠光点图的步骤,
其中在计算步骤中,使用所述重叠光点图代替使用所述光点图来计算所述比。
9.一种用于检测特定缺陷的系统,包括:
检测单元,其用于通过利用光照射晶片的表面来将所述晶片的表面上的缺陷作为光点来检测;
分析单元,其用于基于来自所述检测单元的输出创建光点图,所述光点图是所述晶片的表面上的光点的平面内位置信息;
存储单元,其用于存储关于确定区域和参考区域的数据,在所述确定区域中预计将形成特定缺陷,而所述参考区域是在所述光点图中除所述确定区域以外的给定区域;
计算单元,其用于计算所述光点图中的所述确定区域的光点密度与所述参考区域的光点密度的比;以及
确定单元,其用于基于计算的比来确定是否形成了特定缺陷。
10.一种允许计算机执行根据权利要求1或7所述的用于检测特定缺陷的方法的步骤的程序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造