[发明专利]有机金属化学汽相沉积的方法与装置

权利要求书

1.一种有机金属化学汽相沉积的方法，包括：

提供基板，于该基板的第一表面具有金属基材料层；

将该基板放置于腔体内的基座上，且该金属基材料层介于该基板与该基座之间；以及

对该基板的第二表面进行有机金属化学汽相沉积制程，其中该第二表面位于该第一表面的相对侧，且

该金属基材料层的热传导系数与该基板的热传导系数的差值在1W/m·°C~20W/m·°C之间，

该金属基材料层的热膨胀系数与该基板的热膨胀系数在同一数量级。

2.如权利要求1所述的有机金属化学汽相沉积的方法，其中该金属基材料层能耐1000°C以上的温度。

3.如权利要求1所述的有机金属化学汽相沉积的方法，其中该金属基材料层的电阻率的范围在同一数量级内。

4.如权利要求1所述的有机金属化学汽相沉积的方法，其中该金属基材料层的厚度为1μm~10μm。

5.如权利要求1所述的有机金属化学汽相沉积的方法，其中进行该有机金属化学汽相沉积制程，以便于该基板的该第二表面形成半导体元件。

6.如权利要求5所述的有机金属化学汽相沉积的方法，其中该金属基材料层是该半导体元件的电极。

7.如权利要求1所述的有机金属化学汽相沉积的方法，其中该金属基材料层包括金属或金属化合物。

8.如权利要求7所述的有机金属化学汽相沉积的方法，其中该金属基材料层包括钼、钽、铌或铂。

9.如权利要求1所述的有机金属化学汽相沉积的方法，其中该金属基材料层全面性地形成在该基板的该第一表面上。

10.如权利要求1所述的有机金属化学汽相沉积的方法，其中进行该有机金属化学汽相沉积制程期间，还包括旋转该基座。

11.如权利要求10所述的有机金属化学汽相沉积的方法，其中旋转该基座的转速低于20rpm。

12.如权利要求1所述的有机金属化学汽相沉积的方法，其中进行该有机金属化学汽相沉积制程期间，还包括往该腔体内均匀进气。

13.一种有机金属化学汽相沉积装置，至少包括：

腔体；以及

基座，位于该腔体内，用以承放基板并对该基板加热，其中

该基板与该基座之间有金属基材料层，

该金属基材料层的热传导系数与该基板的热传导系数的差值在1W/m·°C~20W/m·°C之间，

该金属基材料层的热膨胀系数与该基板的热膨胀系数在同一数量级。

14.如权利要求13所述的有机金属化学汽相沉积装置，其中该金属基材料层能耐1000°C以上的温度。

15.如权利要求13所述的有机金属化学汽相沉积装置，其中该金属基材料层的电阻率的范围在同一数量级内。

16.如权利要求13所述的有机金属化学汽相沉积装置，其中该金属基材料层的厚度为1μm~10μm。

17.如权利要求13所述的有机金属化学汽相沉积装置，其中该金属基材料层包括金属或金属化合物。

18.如权利要求17所述的有机金属化学汽相沉积装置，其中该金属基材料层包括钼、钽、铌或铂。

19.如权利要求13所述的有机金属化学汽相沉积装置，其中该金属基材料层全面性地形成在该基板的表面。

20.如权利要求13所述的有机金属化学汽相沉积装置，其中该金属基材料层位于该基座的表面。

21.如权利要求13所述的有机金属化学汽相沉积装置，其中该基板与该基座是互不接触的。

22.如权利要求13所述的有机金属化学汽相沉积装置，还包括连接该腔体的气体供应系统。