[发明专利]低K介质阻挡层及其形成方法有效
| 申请号： | 201210142983.3 | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN103390577A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介质 阻挡 及其 形成 方法 | ||
1.一种低K介质阻挡层的形成方法，其特征在于，包括：
提供具有低K介质层的衬底；
利用预处理气体对所述衬底进行等离子体工艺预处理，所述预处理气体包括：碳氢气体及惰性气体；
在经过等离子体工艺预处理的衬底上形成低K介质阻挡层。
2.如权利要求1所述的低K介质阻挡层的形成方法，其特征在于，所述低K介质阻挡层包括SiCOH层。
3.如权利要求2所述的低K介质阻挡层的形成方法，其特征在于，形成所述SiCOH层的气体包括SiH4、DEMS及载流气体。
4.如权利要求3所述的低K介质阻挡层的形成方法，其特征在于，形成所述SiCOH层时，SiH4的流量为500sccm～2000sccm，DEMS的流量为500sccm～2000sccm，载流气体的流量为500sccm～2000sccm。
5.如权利要求4所述的低K介质阻挡层的形成方法，其特征在于，形成所述SiCOH层时，工艺时间为5s～50s，压强为2torr～7torr，功率为500w～1000w。
6.如权利要求5所述的低K介质阻挡层的形成方法，其特征在于，所述载流气体包括氦气及氩气中的一种或多种。
7.如权利要求2所述的低K介质阻挡层的形成方法，其特征在于，所述SiCOH层的厚度为50埃～300埃。
8.如权利要求1至7中的任一项所述的低K介质阻挡层的形成方法，其特征在于，所述碳氢气体包括C2H2及C2H4中的一种或多种。
9.如权利要求1所述的低K介质阻挡层的形成方法，其特征在于，所述低K介质阻挡层包括碳硼化合物层。
10.如权利要求1所述的低K介质阻挡层的形成方法，其特征在于，所述低K介质阻挡层包括TEOS层。
11.一种如权利要求1至10中任一项所述的低K介质阻挡层的形成方法所形成的低K介质阻挡层。
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