[发明专利]晶片封装体及其形成方法

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

一第一基底；

一第二基底，设置于该第一基底之上，其中该第二基底具有贯穿该第二基底的至少一开口，该至少一开口于该第二基底之中划分出彼此电性绝缘的多个导电区；

一承载基底，设置于该第二基底之上；

一绝缘层，设置于该承载基底的一表面及一侧壁之上，其中该绝缘层填充于该第二基底的该至少一开口之中；以及

一导电层，设置于该承载基底上的该绝缘层之上，且电性接触所述导电区中的一导电区。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该导电层自该承载基底的该表面上的该绝缘层沿着该承载基底的该侧壁朝该第二基底延伸。

3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括：

一防焊层，设置于该导电层之上，其中该防焊层具有露出该导电层的一开口；以及

一导电凸块，设置于该防焊层的该开口之中，且电性接触该导电层。

4.根据权利要求3所述的晶片封装体，其特征在于，该防焊层包覆该导电层的邻近所述导电区中的一导电区的一部分的一侧边。

5.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该导电层延伸进入该第二基底之中。

6.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一第一接垫及一第二接垫，设置于该第一基底与该第二基底之间，其中该第二接垫接合于该第一接垫之上，且电性连接所述导电区中的一导电区。

7.根据权利要求6所述的晶片封装体，其特征在于，该第一基底与该第二基底之间隔有一间隙。

8.根据权利要求7所述的晶片封装体，其特征在于，该绝缘层填充于该间隙之中。

9.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该承载基底的该侧壁倾斜于该承载基底的该表面。

10.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一第二导电层，设置于该承载基底及该绝缘层之上，且电性接触所述导电区中的一导电区，其中该第二导电层不电性连接该导电层。

11.一种晶片封装体的形成方法，其特征在于，包括：

提供一第一基底；

将一第二基底设置于该第一基底之上，其中该第二基底具有贯穿该第二基底的至少一开口，该至少一开口于该第二基底之中划分出彼此电性绝缘的多个导电区；

将一承载基底设置于该第二基底之上；

部分移除该承载基底以形成露出该第二基底的该至少一开口及所述导电区的至少一沟槽；

于该承载基底上形成一绝缘层，其中该绝缘层延伸于该至少一沟槽的一侧壁之上，且填充于该第二基底的该至少一开口之中；以及

于该绝缘层之上形成一导电层，其中该导电层电性接触所述导电区中的一导电区。

12.根据权利要求11所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括在形成该至少一沟槽之前，薄化该承载基底。

13.根据权利要求11所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括薄化该第一基底。

14.根据权利要求11所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括：

于该导电层之上形成一防焊层，该防焊层具有露出该导电层的一开口；以及

于该防焊层的该开口中形成一导电凸块，该导电凸块电性接触该导电层。

15.根据权利要求11所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括切割移除部分的该绝缘层以于该绝缘层中形成一沟槽开口，该沟槽开口露出该第二基底的该至少一开口及所述导电区。

16.根据权利要求15所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，该沟槽开口延伸进入该第二基底之中。

17.根据权利要求11所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括于该绝缘层之上形成一第二导电层，其中该第二导电层电性接触所述导电区中的一导电区，且该第二导电层不电性连接该导电层。

18.根据权利要求17所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，该导电层及该第二导电层的形成步骤包括：

于该绝缘层上形成一导电材料层；以及

将该导电材料层图案化以形成该导电层及该第二导电层。