[发明专利]一种PN结的扩散方法无效
申请号: | 201210143416.X | 申请日: | 2012-05-10 |
公开(公告)号: | CN102637778A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 马桂艳;宋连胜;田世雄;张东升 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/223 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pn 扩散 方法 | ||
1.一种PN结的扩散方法,其特征在于,包括:
在硅片表面形成氧化层;
提供磷原子,并使所述磷原子通过所述氧化层向所述硅片内部进行扩散。
2.根据权利要求1所述方法,其特征在于,所述氧化层的厚度为20nm~50nm。
3.根据权利要求2所述方法,其特征在于,所述在一硅片表面上形成氧化层的过程,具体包括:
将所述硅片置于扩散炉的炉管内,并使所述扩散炉升温至800℃~900℃;
按照预设的流量向所述炉管内通入氧气,并持续5min~10min,在所述硅片表面形成氧化层。
4.根据权利要求3所述方法,其特征在于,所述氧化层为氧化硅层。
5.根据权利要求4所述方法,其特征在于,所述氧气的流量为1500sccm~2000sccm。
6.根据权利要求4所述方法,其特征在于,所述氧气为电子级纯度的氧气。
7.根据权利要求1所述方法,其特征在于,所述提供磷原子,并使所述磷原子通过所述氧化层在所述硅片内进行扩散的过程,具体包括:
使所述炉管内的温度保持在800℃~900℃,按照预设的流量向所述炉管内通入氧气和携带有三氯化磷的氮气,在所述氧化层的表面上沉积磷,持续10min~20min;
使所述炉管内的温度保持在800℃~900℃,按照预设的流量向所述炉管内通入氧气,通过氧气促进磷原子的扩散,持续5min~10min;
使所述炉管内的温度保持在800℃~900℃,保持10min~15min,使磷原子向硅片内部进行扩散。
8.根据权利要求7所述方法,其特征在于,所述按照预设的流量向所述炉管内通入氧气和携带有三氯化磷的氮气的过程中,所述氮气的流量为500sccm~2000sccm,所述氧气的流量为300sccm~1000sccm。
9.根据权利要求7所述方法,其特征在于,所述按照预设的流量向所述炉管内通入氧气的过程中,所述氧气的流量为1500sccm~2000sccm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英利能源(中国)有限公司,未经英利能源(中国)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210143416.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的