[发明专利]提高存储器可靠性的方法以及闪存操作方法在审

专利信息
申请号: 201210143456.4 申请日: 2012-05-09
公开(公告)号: CN102708927A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 肖军;黄碧;孔蔚然 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 提高 存储器 可靠性 方法 以及 闪存 操作方法
【权利要求书】:

1.一种提高存储器可靠性的方法,其特征在于包括:

记录坏扇区地址,并且为坏扇区分配用于替换的冗余扇区;

利用校验和纠错码对存储器的扇区进行读取或编程;

判断当前打算读取或编程的扇区的扇区地址是否是被记录的坏扇区地址;

如果当前打算读取或编程的扇区的扇区地址是被记录的坏扇区地址,则对用于替换与被记录的坏扇区地址所对应的坏扇区的冗余扇区进行读取或编程。

2.根据权利要求1所述的提高存储器可靠性的方法,其特征在于还包括:如果当前打算读取或编程的扇区的扇区地址是被记录的坏扇区地址,则对当前读取或编程的扇区进行读取或编程。

3.一种提高存储器可靠性的方法,其特征在于包括:

记录坏扇区地址,并且为坏扇区分配用于替换的冗余扇区;

对存储器的扇区进行擦除;

判断当前打算擦除的扇区的扇区地址是否是被记录的坏扇区地址;

如果当前打算擦除的扇区的扇区地址是被记录的坏扇区地址,则对用于替换所述坏扇区的冗余扇区进行擦除。

4.根据权利要求3所述的提高存储器可靠性的方法,其特征在于还包括:在对用于替换所述坏扇区的冗余扇区进行擦除之后,利用校验和纠错码对所述冗余扇区进行读取检测,并且在所述读取检测没有通过的情况下判断存储器功能失效。

5.根据权利要求3或4所述的提高存储器可靠性的方法,其特征在于还包括:如果当前打算擦除的扇区的扇区地址不是被记录的坏扇区地址,则对当前打算擦除的扇区进行擦除,并且利用校验和纠错码对当前打算擦除的扇区进行读取检测。

6.根据权利要求5所述的提高存储器可靠性的方法,其特征在于还包括:在所述取检测未通过的情况下判断当前打算擦除的扇区的扇区地址是否是已经记录的坏扇区地址。

7.根据权利要求6所述的提高存储器可靠性的方法,其特征在于还包括:如果判断当前打算擦除的扇区的扇区地址是已经记录的坏扇区地址,则判断存储器功能失效。

8.根据权利要求6所述的提高存储器可靠性的方法,其特征在于还包括:如果判断当前打算擦除的扇区的扇区地址不是已经记录的坏扇区地址,则将当前打算擦除的扇区的扇区地址记录为坏扇区地址。

9.根据权利要求1或3所述的提高存储器可靠性的方法,其特征在于,所述存储器是非易失性闪存。

10.一种采用了根据权利要求1至9之一所述的提高存储器可靠性的方法的方法的闪存操作方法。

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