[发明专利]选择性发射极晶体硅太阳电池制造方法

权利要求书

1.一种选择性发射极晶体硅太阳电池制造方法，包括高浓度掺杂扩散、低浓度掺杂扩散，其特征在于：用含磷掺杂剂浆料在晶体硅片正面丝网印刷，印刷区域略大于电极区域，烘干，然后在POCl₃气氛中进行掺杂扩散，在含磷掺杂剂浆料印刷区域得到高浓度扩散，其余区域得到低浓度扩散，高浓度、低浓度掺杂扩散一次完成。

2.根据权利要求1所述的选择性发射极晶体硅太阳电池制造方法，其特征在于制作的具体工艺为：

a、表面制备，去除硅片表面损伤，形成减反射表面结构，然后化学清洗；

b、在晶体硅片光照面即正面丝网印刷含磷掺杂剂浆料，印刷区域略大于光照面，即正面电极区域，烘干；

c、扩散制结，在POCl₃气氛中进行掺杂扩散，在含磷掺杂剂浆料印刷区域得到高浓度扩散，其余区域得到低浓度扩散，高浓度、低浓度掺杂扩散一次完成；

d、去除硅片周边PN结；

e、正表面沉积减反射膜及钝化；

f、电极制造，用相应的浆料丝网印刷正面、背面电极及背表面场图案并烘干、高温烧结形成欧姆接触。

3.根据权利要求1所述的选择性发射极晶体硅太阳电池制造方法，其特征在于：所述含磷掺杂剂浆料是指二氧化硅乳胶源。