[发明专利]大感光面积CMOS图像传感器像素结构及生成方法有效
| 申请号： | 201210144011.8 | 申请日： | 2012-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN102683373A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 姚素英;韩立镪;孙羽;高静;徐江涛;史再峰 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 感光 面积 cmos 图像传感器 像素 结构 生成 方法 | ||
1.一种大感光面积CMOS图像传感器像素结构，由传输管TX、复位管RST、源跟随器SF、选择管SEL以及钳位二极管PPD和存储节点FD组成，钳位二极管PPD为P型杂质衬底上设置有钳位二极管的N区、钳位二极管的P区，其特征是，在钳位二极管的N区、钳位二极管的P区之间设置有新P型杂质注入区，新P型杂质注入区与钳位二极管感光区域交叠部分面积与感光区面积比例在1∶100～1∶5之间；交叠部分与传输管TX栅极之间的最短距离大于2um；新P型杂质注入区浓度峰值注入的深度在N型杂质区杂质深度分布范围之内。
2.一种大感光面积CMOS图像传感器像素结构生成方法，其特征是，在由传输管TX、复位管RST、源跟随器SF、选择管SEL以及钳位二极管PPD和存储节点FD组成的CMOS图像传感器像素结构上进行，包括下列步骤：
使光刻板位于钳位二极管PPD感光区上方，光刻板开窗区为矩形，矩形的长边与传输管TX栅极和复位管RST栅极垂直连线方向相平行，开窗区的数量大于等于一；
自开窗区向钳位二极管PPD的N区、钳位二极管PPD的P区之间注入新P型杂质注入区，使新P型杂质注入区与感光区域交叠部分面积与感光区面积比例在1∶100～1∶5之间；交叠部分与传输管TX栅极之间的最短距离大于2um；新P型杂质注入区浓度峰值注入的深度在N型杂质区杂质深度分布范围之内。
3.如权利要求2所述的大感光面积CMOS图像传感器像素结构生成方法，其特征是，开窗区矩形长边长为感光区的2/5，短边长为感光区的1/8。
4.如权利要求2所述的大感光面积CMOS图像传感器像素结构生成方法，其特征是，新P型杂质注入区，杂质类型为硼，能量为80千电子伏，注入剂量为4×1012/cm2。
5.如权利要求2所述的大感光面积CMOS图像传感器像素结构生成方法，其特征是，开窗区的数量大于1时，使开窗区在感光区范围内平行分布。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
